一种高阶温度补偿的带隙基准电压源

• 作者: 万天才 周前能 徐海峰 李红娟
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准电压源 高阶温度补偿 电源抑制比
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 电路与系统设计
• 页码范围: 765-768,773
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.13911/j.cnki.1004-3365.180007

摘要

基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种高阶温度补偿的带隙基准电压源.采用源极、漏极与栅极短接的PMOS管替代传统基准电压源中的PNP管,增加了高温区域曲率补偿电路和低温区域温度分段补偿电路.该带隙基准电压源获得了低温漂的性能.仿真结果表明,在-40℃～125℃温度范围内,该带隙基准电压源的温度系数达到1.997×10-6/℃,在频率为1 Hz、10Hz、100Hz、1 kHz、100 kHz时,分别获得了-77.84 dB、-77.84 dB、-77.83 dB、-77.42 dB、-48.05 dB的电源抑制比.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周前能	重庆邮电大学光电工程学院微电子系	58	176	5.0	11.0
2	李红娟	重庆邮电大学光电工程学院微电子系	23	44	3.0	5.0
3	万天才		7	25	3.0	5.0
4	徐海峰	重庆邮电大学光电工程学院微电子系	3	12	2.0	3.0