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摘要:
针对SiO2薄膜制备过程中的龟裂难题,开发了基于电射流沉积的制备工艺,通过对沉积参数的调节,实现了SiO2薄膜的无裂纹可控制备.首先调制了由SiO2溶胶和SiO2颗粒混合而成SiO2悬浮液,其目的在于降低沉积薄膜中的内应力,从而减少薄膜表面裂纹.其次采用电射流沉积的方法,通过调控沉积高度和扫描间距,实现了薄膜的无裂纹制备.最后,通过SEM对薄膜表面形貌和截面形貌进行了表征.结果表明当沉积高度为4 mm,扫描间距为1.4 mm时,可以得到无裂纹SiO2薄膜.通过层层叠加的方式来制备SiO2薄膜,沉积12层得到了厚度为3.41μm的SiO2无开裂薄膜,相应单层沉积厚度为284 nm.最后将所制备的薄膜在550℃下烧结成型.所开发的电射流沉积薄膜技术可用于高质量SiO2薄膜的制备,具有很好的发展前景.
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文献信息
篇名 无裂纹SiO2薄膜的纳尺度电射流叠层沉积工艺
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 二氧化硅 薄膜 无开裂 电射流沉积 沉积高度 扫描间距
年,卷(期) 2018,(7) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 83-87
页数 5页 分类号 TB321
字数 2901字 语种 中文
DOI 10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.07.016
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王大志 大连理工大学精密与特种加工技术教育部重点实验室 29 41 3.0 5.0
2 梁军生 大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室 23 53 4.0 6.0
6 王金鹏 大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室 4 5 2.0 2.0
7 郑胜 大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室 1 0 0.0 0.0
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电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
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16
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