10Gbit/s台面型InGaAs/InP pin高速光电探测器

• 作者: 尹顺政 张世祖 李伟 李庆伟 齐利芳
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 光电探测器 InGaAs/InP 响应度 响应速度 台面腐蚀
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 280-284
• 页数: 5页
• 分类号: TN364.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.04.007

摘要

利用数值计算方法分析了高速光电探测器的耗尽区宽度与响应度及响应速度的关系.分析结果表明,耗尽区宽度选择应在响应度和响应速度之间折中,在响应度满足使用要求的情况下,尽量提高响应速度.利用该分析结果设计了台面型InGaAs/InP pin高速光电探测器材料结构.通过优化腐蚀工艺与钝化工艺,解决了器件腐蚀形貌和钝化问题.结合其他微细加工工艺完成了器件的制备,器件光敏区直径50 μm.测试结果显示,在反向偏压为5V时,暗电流小于1 nA,电容约为0.21 pF.此外,在1 310 nm激光辐照下,器件的响应度约为0.95 A/W,-3 dB带宽超过10 GHz,其性能满足10 Gbit/s光纤通信应用要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张世祖	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	54	5.0	7.0
2	李庆伟	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	9	2.0	2.0
3	齐利芳	中国电子科技集团公司第十三研究所	8	28	3.0	5.0
4	尹顺政	中国电子科技集团公司第十三研究所	8	27	3.0	5.0
5	李伟		8	18	3.0	4.0