一种具有辅助耗尽效应的BiCMOS NJFET

• 作者: 冯全源 冯金荣 陈晓培
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: N沟道结型场效应晶体管 降低表面电场 击穿电压 BiCMOS
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 682-685
• 页数: 4页
• 分类号: TN433
• 语种: 中文
• DOI: 10.13911/j.cnki.1004-3365.170551

摘要

基于BiCMOS工艺,提出了一种N沟道结型场效应晶体管(NJFET).该NJFET通过在MOS管的栅极与漏极之间的N阱层上注入P型杂质,形成P型底部埋层(P-BOT)层.利用P-BOT层的辅助耗尽效应来避免NJFET过早横向击穿,达到提高NJFET源-漏击穿电压的目的.采用Sentaurus TCAD软件对该BiCMOS NJFET的击穿电压进行仿真.结果表明,该NJFET的击穿电压达104V,在相同N阱掺杂浓度下,比传统NJFET提高了57.6％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯全源	西南交通大学微电子研究所	261	1853	19.0	26.0
2	陈晓培	西南交通大学微电子研究所	11	31	3.0	5.0
3	冯金荣	西南交通大学微电子研究所	1	0	0.0	0.0