基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
介绍了硅湿法刻蚀的工作原理,分析了影响硅刻蚀均匀性的主要因素,重点阐述了在湿法腐蚀设备中提高硅刻蚀均匀性的方法.
推荐文章
利用湿法刻蚀的方式制备黑硅
黑硅材料
湿法刻蚀
表面形貌
光吸收率
等离子体刻蚀中工艺参数对刻蚀速率影响的研究
感应耦合等离子体
干法刻蚀
激光印痕研究中的硅平面薄膜和刻蚀膜
激光印痕靶
自截止腐蚀
离子束刻蚀
复合钝化膜刻蚀工艺的探讨
钝化膜
等离子
刻蚀工艺
温度控制
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 湿法刻蚀提高硅刻蚀均匀性技术研究
来源期刊 电子工业专用设备 学科 工学
关键词 湿法刻蚀 各向同性刻蚀 各向异性刻蚀 刻蚀均匀性
年,卷(期) 2019,(5) 所属期刊栏目 半导体制造工艺与设备
研究方向 页码范围 13-16
页数 4页 分类号 TN305.7
字数 3614字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 赵宝君 中国电子科技集团公司第四十五研究所 4 2 1.0 1.0
2 祝福生 中国电子科技集团公司第四十五研究所 15 29 3.0 5.0
3 王文丽 中国电子科技集团公司第四十五研究所 11 9 2.0 3.0
4 夏楠君 中国电子科技集团公司第四十五研究所 10 11 2.0 3.0
5 黄鑫亮 中国电子科技集团公司第四十五研究所 5 2 1.0 1.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (6)
参考文献  (2)
节点文献
引证文献  (2)
同被引文献  (8)
二级引证文献  (0)
2008(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2012(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2019(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2020(2)
  • 引证文献(2)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
湿法刻蚀
各向同性刻蚀
各向异性刻蚀
刻蚀均匀性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子工业专用设备
双月刊
1004-4507
62-1077/TN
大16开
北京市朝阳区安贞里三区26号浙江大厦913室
1971
chi
出版文献量(篇)
3731
总下载数(次)
31
论文1v1指导