等离子体增强原子层沉积技术制备碳化钴薄膜

• 作者: 刘博文 刘忠伟 樊启鹏 江德荣 田旭 胡玉莲
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 氢等离子体 原子层沉积 碳化钴薄膜 低温
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 页码范围: 56-60
• 页数: 5页
• 分类号: TB34|TB43
• 字数: 2651字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13385/j.cnki.vacuum.2019.05.11

摘要

报道了一种新型PE-ALD工艺用于沉积碳化钴薄膜.以脒基钴为前驱体,在氢等离子体作用下,成功制备了碳化钴薄膜.薄膜厚度与沉积循环关系显示薄膜生长为理想的逐层生长行为,100℃下薄膜生长速率为0.066 nm/cycle.利用XRD和TEM对所沉积的薄膜进行表征,结果表明薄膜是多晶的六方晶系Co3C晶体结构.XPS的结果表明沉积的碳化钴膜具有高纯度.在深宽比高达20:1的硅基底沟槽中研究碳化钴薄膜的保型性,显示该PE-ALD工艺可以沉积厚度均匀、光滑且高度保形的碳化钴薄膜,这有利于在高深宽比的3D结构中的涂覆并且在负载催化剂领域具有潜在应用.