三维闪存中基于钨互连的空气隙结构的制备工艺

• 作者: 刘峻 夏志良 范鲁明 袁璐月 郭安乾 霍宗亮
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 三维闪存 W互连 RC延迟 空气隙 低台阶覆盖率
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 281-285
• 页数: 5页
• 分类号: TN405.97
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.04.007

摘要

将空气隙应用于逻辑器件后段金属互连线中可以有效降低互连线间的寄生电容,提升电路信号传输速度,但制备过程仍具有一定的困难.基于三维闪存(3D NAND)中后段(BEOL)W的自对准双重图形化(SADP)工艺,利用湿法刻蚀的方法在W化学机械平坦化(CMP)之后去除SiO2介质层,然后再利用化学气相淀积(CVD)法淀积一层台阶覆盖率较低的介质在金属互连线层内形成空气隙.采用空气隙结构代替原来的SiO2介质层可降低约37.4％的寄生电容,且薄膜的台阶覆盖率会进一步降低电容.TCAD仿真和电性能测试结果表明,采用该方法制备的空气隙结构可降低互连延迟.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁璐月	中国科学院大学微电子学院	1	0	0.0	0.0
10	刘峻		2	0	0.0	0.0
11	范鲁明		1	0	0.0	0.0
12	郭安乾		1	0	0.0	0.0
13	夏志良	中国科学院大学微电子学院	2	0	0.0	0.0