一种抗电离干扰的高速串行驱动器

• 作者: 于宗光 曹晓斌 袁霄 邹家轩
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 抗电离辐射 单粒子效应(SEE) 高速串行接口(SerDes) 驱动器 绝缘体上硅(SOI)
• 年，卷（期）: 2019,（8）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 600-605
• 页数: 6页
• 分类号: TN433
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.08.005

摘要

针对工业界高速串行接口(SerDes)发射级的驱动器在电离干扰条件下受到单粒子效应(SEE)干扰导致传输出错的问题,分析了经典高速SerDes驱动器结构受SEE干扰的机理,提出了一种采用密勒补偿的互补电流源全差分驱动电路结构,能够显著抑制单粒子效应在驱动器敏感节点上引起的扰动,改善高速SerDes抗SEE干扰的能力.基于所提出的驱动器结构设计了一款3.125 Gbit/s的高速SerDes收发器,并在130 nm部分耗尽型(PD)绝缘体上硅(SOI)CMOS工艺下完成了流片.在SEE的干扰条件下的测试结果显示,该驱动器的单粒子瞬态能量阈值显著高于经典结构驱动器,达到21.9 MeV·cm2·mg-1,可应用于星载计算机高速数据传输.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于宗光	西安电子科技大学微电子学院	140	722	12.0	22.0
5	邹家轩	西安电子科技大学微电子学院	9	13	2.0	3.0
9	曹晓斌	中国电子科技集团公司第五十八研究所	1	1	1.0	1.0
10	袁霄	中国电子科技集团公司第五十八研究所	1	1	1.0	1.0