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摘要:
为提高电子产品供电性能,设计了一款具有高电源抑制比(PSRR)、超低静态电流、宽输入电压范围的低压差(LDO)线性稳压器.该电路采用预调节和噪声抵消技术,利用Cadence工具SMIC 0.35 μm CMOS工艺,完成了整体电路的设计与仿真,并进行了流片.仿真结果显示,LDO线性稳压器输出线性调整率为0.05%/V,负载调整率为5.5%,温度系数为1.8×10-5/℃;10 GHz带宽以内的电源抑制比在低频下能达到98 dB,静态电流最高仅为32 μA.测试结果表明,芯片可以在3.3~40 V电源电压下正常工作,输出电压为3.3或5V,最大负载电流为150 mA,可应用于USB和便携电子产品等多种设备.
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高电源电压抑制、低功耗片上低压差线性稳压器的研究与设计
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低功耗
高电源电压抑制(PSR)
低功耗自适应偏置无片外电容低压差稳压器
线性稳压器
低功耗
无片外电容
自适应偏置
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 高精度低噪声的低压差线性稳压器设计
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 低压差(LDO)线性稳压器 电源抑制比(PSRR) 带隙基准 误差放大器 静态电流
年,卷(期) 2020,(5) 所属期刊栏目 半导体集成电路
研究方向 页码范围 345-351
页数 7页 分类号 TN432
字数 语种 中文
DOI 10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.05.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王宇星 无锡科技职业学院物联网技术学院 14 20 2.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
低压差(LDO)线性稳压器
电源抑制比(PSRR)
带隙基准
误差放大器
静态电流
研究起点
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半导体技术
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1003-353X
13-1109/TN
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