不同Si含量掺杂的ZTO薄膜的制备与研究

• 作者: 刘红梅 孔乐 戴永喜 杨倩倩 杨凯华 王吉有 邓金祥
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 射频磁控溅射 Si掺杂 ZnSnO薄膜 光学禁带宽度
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 23-26
• 页数: 4页
• 分类号: O469|TB43
• 语种: 中文
• DOI: 10.13385/j.cnki.vacuum.2020.06.05

摘要

本文采用磁控溅射法制备Si元素掺杂的ZnSnO薄膜(SZTO),研究Si元素掺杂对薄膜样品性能的影响.XRD衍射图谱表明,不同Si掺杂含量的薄膜均呈现非晶态.利用原子力显微镜表征薄膜的表面形貌,随着Si含量的增加,薄膜样品的表面粗糙度呈现出单调递增的趋势,Si掺杂使薄膜样品的平整度降低.透射谱测试表明不同Si含量掺杂的SZTO薄膜在可见光波段均具有较高的透射率,利用Si元素掺杂可以提高在可见光范围的透射率,并有效增加ZnSnO(ZTO)薄膜的光学带隙.PL谱测试表明,随着Si掺杂浓度的升高,PL谱的强度呈现出不同程度的增大,且展宽变宽,这表明Si掺杂的ZTO薄膜样品中引入了一些深能级缺陷.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孔乐		18	53	5.0	7.0
2	王吉有		36	164	7.0	11.0
3	刘红梅		15	66	5.0	7.0
4	邓金祥		45	150	7.0	9.0
5	杨倩倩		4	2	1.0	1.0
6	杨凯华		5	25	2.0	5.0
7	戴永喜		1	0	0.0	0.0