高纯InP多晶的合成技术

• 作者: 付莉杰 刘惠生 孙同年 孙聂枫 康永 张晓丹 张鑫 王书杰
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 磷化铟(InP) 原位磷注入法 合成速率 熔体温度 磷泡压力
• 年，卷（期）: 2020,（9）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 707-712
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.09.009

摘要

采用原位磷注入法合成了不同化学配比的磷化铟(InP)多晶.分析了熔体温度、磷泡压力和环境压力对合成速率的影响;对不同化学配比的多晶样品进行霍尔测试和辉光放电质谱(GDMS)测试,分析了影响InP多晶纯度的因素.结果 表明,合成时熔体温度为1 353～1 370 K时,熔体呈富磷或者化学配比状态,熔体温度高于1 370 K或低于1 353 K时,熔体呈富铟状态;合成过程中,通过调节源炉升温的速度来控制磷泡内压力与环境压力,避免熔体倒吸堵住注入口引起炸泡,并最大程度地减少磷的损失;合成时熔体温度高于1 370 K会造成合成的多晶呈富铟状态、合成时间较长,且石英坩埚中的Si元素长时间在高温下会对熔体造成沾污,从而降低多晶纯度.