高可靠混合集成电路(HIC)基板异质膜层搭接典型问题浅析

• 作者: 刘俊夫 朱文丽 汤文明 董永平 郑静
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 高可靠混合集成电路 厚膜 搭接 可肯达尔效应 显微结构
• 年，卷（期）: 2020,（9）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 90-96,104
• 页数: 8页
• 分类号: TN452
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2020.0124

摘要

阐述了高可靠混合集成电路(HIC)配套厚膜基板典型异质膜层搭接部位的三种典型问题:Au/Ag基膜层功能相过度扩散问题、Ag基导体与低阻值电阻分层问题以及Au基导体与介质分层问题.从机理分析结合剖面微观分析的角度对问题进行了研究.研究发现:Au/Ag基膜层功能相过度扩散问题的原因是原子的不平衡扩散;Ag导体膜层致密度过高,电阻中的粘结相无法有效浸润从而导致了Ag基导体与低阻值电阻分层问题;而Au基导体与介质分层问题则是由于异质浆料粘接相不匹配造成的.最后对设计和生产过程中可能采取的措施给出了建议.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汤文明		104	841	16.0	23.0
2	刘俊夫		1	0	0.0	0.0
3	郑静		1	0	0.0	0.0
4	董永平		1	0	0.0	0.0
5	朱文丽		2	0	0.0	0.0