沟槽MOSFET耐压与导通电阻的优化设计

• 作者: 乔杰 冯全源
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 沟槽MOSFET 导通电阻 击穿电压 沟槽深度 沟槽宽度
• 年，卷（期）: 2020,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 71-76
• 页数: 6页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2020.0454

摘要

研究了沟槽MOSFET沟槽深度和沟槽宽度对导通电阻与耐压的影响.以击穿电压65 V的沟槽MOSFET器件为研究对象,仅改变沟槽深度或沟槽宽度,详细分析了导通电阻和耐压的变化以及产生相应变化的原因.使用Sentaurus TCAD对器件进行了模拟仿真,仿真结果表明,在控制其他参数不变的条件下,导通电阻随沟槽深度的增大而逐渐减小,随沟槽宽度的增大而略微增大;耐压随沟槽深度的增大先增大后减小,随沟槽宽度的增大逐渐增大.最后,得到了比导通电阻为0.79 mΩ?cm2,耐压为81 V的优化设计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯全源		261	1853	19.0	26.0
2	乔杰		2	0	0.0	0.0