抑制4H-SiC功率器件双极型退化的复合提高层设计

• 作者: 宋华平 张新河 杨安丽 温正欣
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 功率器件 双极型退化 复合提高层
• 年，卷（期）: 2020,（10）
• 所属期刊栏目: 宽禁带电力电子器件的应用基础专辑
• 页码范围: 75-76,79
• 页数: 3页
• 分类号: TQ163+.4
• 语种: 中文

摘要

“双极型退化”是目前影响4H-碳化硅(SiC)双极型器件稳定工作的重要问题.针对此现象,以万伏级的超高压PiN二极管为例,详细介绍在衬底与外延层之间如何设计合适的“复合提高层”以抑制双极型退化.研究了器件工作电流密度和“复合提高层”少子寿命对设计“复合提高层”的影响.结果 表明,在一定的工作电流密度下,“复合提高层”少子寿命越短,所需“复合提高层”厚度越薄.