基于GaN的高效率功率放大器设计

• 作者: 林建伟 黄继伟
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 高效率 GaN Doherty 功率放大器 5G
• 年，卷（期）: 2021,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 47-53
• 页数: 7页
• 分类号: TN722
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.1536

摘要

基于Cree公司GaN HEMT设计了一款适用于3.45 GHz 5G通信的Doherty功率放大器,其中,载波放大器工作于深AB类,峰值放大器偏置于C类.后仿真表明该放大器小信号增益为13 dB,饱和输出功率大于44.85 dBm(30 W),在饱和点的功率附加效率(PAE)为73.5％.在6 dB回退点效率高达65.2％,与传统AB类放大器相比,效率提升了18％.利用峰均功率比为10 dB、5 MHz的单载波的FDD信号在3.45 GHz频点进行线性仿真,测得在34 dBm的平均输出功率下,邻道泄漏比(ACLR)和误差向量幅度分别为-32.1 dBc和7.768％.