三次非线性忆阻器的双端口建模与特性分析

• 作者: 曹伟 乔金杰 赵丽娜 崔弘
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 关键词: 忆阻器 三次非线性 双端口模型 滞回环 仿真
• 年，卷（期）: 2021,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制|Research & Development
• 页码范围: 381-386
• 页数: 6页
• 分类号: TN702
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.1634

摘要

为拓广忆阻器仿真和应用研究,通过分析压控型忆阻器的数学模型,建立了一种基于Simulink的双端口模型.首先,将忆阻器的电流表示为忆导与输入电压的乘积;将忆阻器的阻值变化率表示为输入电压的三次非线性函数和阶跃函数的乘积.然后,将忆阻器的电流作为受控电流源的控制信号,通过电压源、阻值变化率和积分器获得忆阻器的阻值,实现忆阻器的双端口建模,该模型体现了忆阻值对历史状态的依赖性.最后,通过对双端口模型输入不同信号的仿真,验证了双端口模型的有效性,得到了滞回环曲线随幅值和频率的变化规律.建立的双端口模型可与其他二端口元件直接相连,拓广了忆阻器的应用范围.