点缺陷对4H-SiC的影响

• 作者: 苏晋阳 郭瑞贤 刘淑平
• 来源期刊: 太原科技大学学报
• 关键词: 4H-SiC 第一性能原理 态密度 点缺陷
• 年，卷（期）: 2021,（4）
• 所属期刊栏目: 应用科学|Applied Science
• 页码范围: 335-340
• 页数: 6页
• 分类号: O437
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2057.2021.04.016

摘要

碳化硅(SiC)是一种新型的宽禁带半导体材料,但在实际生产过程中存在各种缺陷.通过第一性原理平面波法计算了4H-SiC薄膜上的碳空位缺陷(VC)和硅空位缺陷(VSi)的态密度从而得出不同缺陷对4H-SiC材料的影响.并在此基础上计算了磷原子和硼原子掺杂,得出两种不同的掺杂类型对4H-SiC材料造成的影响;并计算了缺陷的形成能,通过对比形成能得出哪种缺陷更容易形成.