基于粒子群优化算法提取GaN HEMTs外部寄生参数

• 作者: 郑良川 王军
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 关键词: GaN HEMTs PSO 参数 算法
• 年，卷（期）: 2021,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制|Research & Development
• 页码范围: 819-825
• 页数: 7页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.0182

摘要

GaN HEMTs作为第三代半导体器件,它的工作频率高,功率密度大,而且耐高温、高压,不仅是功放控制电路中的重要组成部分,也是毫米波时代5G无线通信电路中的理想射频功率器件.基于GaN HEMTs器件的19参数小信号等效电路模型,提出了一种在冷场条件下,利用粒子群优化算法(PSO)获取器件小信号模型的外部寄生参数的方法.最后通过对比不同尺寸GaN HEMTs器件在冷场偏置条件下的实际测量和仿真S参数验证了该方法的有效性.