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上海微电子技术和应用1996年出版文献
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上海微电子技术和应用
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曾用名：
上海半导体
ISSN：
1006-9453
CN：
31-1239/TN
出版周期：
季刊
邮编：
200040
地址：
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刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1996年1期页码:摘要： 采用亚阀Ⅰ－Ⅴ技术，分析了ＣＭＯＳ／ＢＥＳＯＩ器件在＾６０Ｃｏ－γ辐照场中的电参数退化行为和机制。结果表明，器件经辐照后产生了较严重的损伤。
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刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1996年1期页码:摘要： 在国产ＴＤＲ－５０ＡＣ单晶炉中使用外加磁场生长φ１００ｍｍＰ型单晶硅锭，利用扩展电阻探针技术及红外光谱术研究其Ｏ，Ｃ含量及电阻率均匀性随磁场强度的变化。
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刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1996年1期页码:摘要： 利用ＡｒＦ准分子脉冲激光沉积工艺在Ｐｔ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制行了Ｐｂ（Ｚｒ５２Ｔｉ４８）Ｏ３（ＰＺＴ）薄膜。并用Ｘ射线衍射分析方法研究了不同后续热处理对薄膜相组成和相结构转变的影响。
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刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1996年1期页码:摘要： 本文采用三甲基镓和三乙基镓为镓源的金属有机化合物气相沉积，获得了高质量的ＧａＡｓ外延层，生长速率随ＴＭＧ和ＴＥＧ的浓度增加而增高和理论计算基本相符，而与ＡｓＨｓ浓度无关，用自制的ＴＥＧ为镓源...
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刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1996年1期页码:摘要： 低于液相呈现温度，用变化升温速率（１６０－１８００℃／小时）的烧结工艺来制备ＰＴＣＢａＴＯ３陶瓷。测量了ＰＴＣＢａＴｉＯ３试样的室温电阻、Ｒ－Ｔ曲线Ｉ－Ｖ曲线及拍摄了试样自然烧结面ＳＥＭ照片...
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刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1996年1期页码:摘要： 本文叙述了Ｘ射线曝光掩膜的评估、Ｆ－Ｎ隧道电流检测氧化层厚度以及三角形栅ＭＯＳ管测量偏称钽的微电子测试结构，并讨论了量测的结果。
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刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1996年1期页码:摘要：
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刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1996年1期页码:摘要： 本文基于对Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２、α－Ｓｉ薄膜本身结构及其层间结构的分析，在半导体器件的表面钝化中做了选择应用。并将此用于生产实践，在Ｓｉ３Ｎ４－α－Ｓｉ－ＳｉＯ２结构中解决了由ＳｉＯ２／Ｓｉ...
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9. 微机械传感器的新进展刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1996年1期页码:摘要： 微机械加工技术在微执行器方面的应用最引入注目，但迄今从微机技术发展中得到最大好处的仍是传感器，在微机加工技术的推动下，微机械传感器，特别是力敏传感器获得了很大的发展，压力传感器获得了很大的发...
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10. 生物计算机刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1996年1期页码:摘要：
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11. 世界半导体市场的新市场刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1996年1期页码:摘要：
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12. 前景诱人的闪速式存储器刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1996年1期页码:摘要：
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刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1996年1期页码:摘要：
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刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1996年2期页码:摘要： 本文用紫外光致荧光法无损检测孙同工艺参数制备ＳＩＭＯＸ材料正面和背面的铁杂质沾污程度，得出了这些样品铁杂质浓度的相对大小。
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15. CMOS运算放大器的质子辐照效应刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1996年2期页码:摘要： 本文报道了ＬＦ７６５０ ＣＭＯＳ运算放大器在４Ｍｅｖ、７Ｍｅｖ和３０Ｍｅｖ三种不同质子能量辐照下的损伤特性和变化规律，并通过对其损伤机理的分析，探讨了引起电参数失效的机理。结果表明，由于质...
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16. 双向晶闸管的设计与制作刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1996年2期页码:摘要： 本文将晶闸管的共性理论与双向晶闸管特殊性结构相结合，并根据几年来的生产实践，摸索出了一套设计与制作的方法，并在实践中得到了很好的验证。
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17. 大电流塑封高压硅堆的研制刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1996年2期页码:摘要： 本文在简要介绍微波炉用大电流塑封高压硅堆基础上，叙述了产品研制思路与主要工艺，旨在郑重讨论在研制过程中解决的技术关键，进而得出几点结论。
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18. 自动检测装置的联动接口刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1996年2期页码:摘要： 本文介绍的联动接口是运用接口转换技术对半导体器件初测设备施行改造更新，实现自控检测的一则应用实例。
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19. 性能优异的SiC材料与器材刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1996年2期页码:摘要：
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20. 新型测量压力波动的传感器刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1996年2期页码:摘要： 本传感器主要用来精确测量大的压力的微小波动值，。使用前，应参照被测压力值对传感器充电一定压力的空气，测量时，籍助于特制的无张力膜使传感器内部压力跟踪外界压力，当阀门关闭时，传感器可以测量压力...
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21. 离子束辅助沉积及其应用刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1996年2期页码:摘要：
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22. 高纯碲的制备刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1996年2期页码:摘要： 本文综述了高纯碲的各种制备方法。
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23. 锗的制备及其应用概述刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1996年2期页码:摘要： 半导体技术的发展是对锗进行研究和生产而开始的，我国对锗的研究已有四十年的历史，在此期间对锗的科学研究十分重视，为我国的半导体工业奠定了基础。本文对锗材料、锗器件的研究，应用作一回顾及论述。
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刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1996年2期页码:摘要：
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刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1996年3期页码:摘要： 本工作采用传统陶瓷工艺，在７５０－１１５０℃温度范围内，分别合成了不同合成温度的Ｎｂ掺杂Ｐｂ３６Ｂａ．６４Ｔｉ１．０１Ｏ３基料，测量了基料的Ｘ－射线及合成后的收缩。
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26. 铁电薄膜与器件的电特性及辐射效应刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1996年3期页码:摘要： 本文详细讨论了铁电电容和器件的电极化特性的研究方法及其电极化特性的辐照效应。
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刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1996年3期页码:摘要： 描述了在国内首次采用外延迁移技术研制适合于制作光电子集成电路的硅上硬化镓双异质结发光二极管的工艺过程及实验结果。发光器件是在外延迁移以后流片制作的，克服了光子器件的对准问题，可与电子器件大规...
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刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1996年3期页码:摘要： 本文主要介绍１ｕｍ双阱双层金属布线硅栅ＣＭＯＳ专用集成电路制造中采用先进的反应离子刻蚀技术，对多种材料如ＬＰＣＶＤ、Ｓｉ３Ｎ４、ＰＥＣＶＥＳｉ３Ｎ４、热ＳｉＯ２、ＰＥＶＥＤＳｉＯ２、ＰＳＧ、...
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刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1996年3期页码:摘要： ３ＤＫ４０５型高频高速反压ＮＰＮ开关功率晶体管研制成功，集电极最大耗散功率ＰＣＭ≥２００Ｗ，集电极最大电流ＩＣＭ≥３０Ａ，双结反向击穿电压ＢＶｃｅｏ≥４５０Ｖ，特征频率ｆＴ≥８０ＭＨＺ，下降...
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30. 一种应用广泛的计算机辅助分析方法刊名： 上海微电子技术和应用发表期刊： 1996年3期页码:摘要： 本文简要回顾了在计算机辅助工程中广泛使用的一种计算机辅助分析方法－有限元分析技术。叙述了有限元分析技术的原理、功能和组成，并扼要介绍了功能全、应用广的ＡＮＳＹＳ有限元分析软件。
上海微电子技术和应用基本信息
| 刊名 | 上海微电子技术和应用 | 主编 | |
| 曾用名 | 上海半导体 | ||
| 主办单位 | 主管单位 | ||
| 出版周期 | 季刊 | 语种 | |
| ISSN | 1006-9453 | CN | 31-1239/TN |
| 邮编 | 200040 | 电子邮箱 | |
| 电话 | 网址 | ||
| 地址 | 上海市胶州路397号 上海半导体器件研究 |
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