半导体技术期刊
出版文献量(篇)
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半导体技术

Semiconductor Technology

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影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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5044
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  • 作者: 赵正平
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  1-16,36
    摘要: 进入21世纪后,GaN微电子发展迅速,2011年进入工程化.在5G移动通信等新一代应用的牵引下,GaN微电子的创新更加活跃,正开始步入高新产业的发展阶段.介绍了GaN微电子在新器件结构与工艺...
  • 作者: 乔磊 刘瑞 崔文朋 张海峰 池颖英 郑哲
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  17-24
    摘要: 对用于电力传感片上系统(SOC)的关键模拟IP进行了结构设计和电路实现.关键模拟IP主要包括低噪声放大器、带隙基准源、电源管理模块、功率放大器和带通滤波器等,其中低噪声放大器采用斩波技术将信...
  • 作者: 刘晏辰 刘洋
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  25-30,51
    摘要: 提出了一种高能效的细粒度可重构的深度神经网络(DNN)加速芯片.该芯片是基于并行计算阵列设计的,它包含144个处理单元,多个处理单元可以实现卷积、矩阵乘、取最大值或取平均值等运算,可以用于加...
  • 作者: 于宗光 吴思博
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  31-36
    摘要: 随着片上系统(SOC)规模的不断增大,各外部设备之间大量数据的交互问题成为芯片系统提高性能的瓶颈.提出了一种基于CoreConnect总线架构的直接内存存取(DMA)高速数据传输系统设计方法...
  • 作者: 牟鹏霖 王鑫池 邵枫 顾晓峰 魏力
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  37-42,83
    摘要: 采用直流反应磁控溅射制备出的氧化铝质子导体作为栅介质,采用射频磁控溅射制备的铟镓锌氧(IGZO)和铟锌氧(IZO)分别作为沟道和源漏电极,得到了由溅射方法制备的氧化物双电层薄膜晶体管(TFT...
  • 作者: 冀婷 崔艳霞 张恒康 李国辉 王文艳 王英奎 郝玉英 韩娜
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  43-51
    摘要: 二维材料具有良好的光电特性、热学特性以及机械特性,其中一些二维材料的光电性质与其自身厚度有很大的关系,通过改变厚度可以获得不同的材料特性,从而极大地增加了二维材料在光电子器件中的应用.综述了...
  • 作者: 仇怀利 张栋 李中军 李思寒 沈周阳 王超帅
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  52-57
    摘要: 以二氧化钛(TiO2)为衬底,利用分子束外延(MBE)法制备了高质量的拓扑绝缘体硒化铋(Bi2Se3)薄膜.实验中,Bi与Se的流量比控制在1∶10左右,制得的薄膜厚度约为50 nm.利用反...
  • 作者: 刘孟瑞 刘玉岭 孙晓琴 檀柏梅 牛新环 高宝红 高鹏程
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  58-65
    摘要: 钴(Co)具有电阻率低、电子迁移率高、对铜(Cu)等金属的黏附性好以及沉积性能好等优势,在集成电路制程中作为Cu互连阻挡层或新型互连材料具有巨大的应用潜力,而金属互连化学机械抛光(CMP)是...
  • 作者: 周建伟 张佳洁 张雪 王子艳 王超 王辰伟
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  66-71,83
    摘要: 研究了一种新型抑制剂(2,2'-[[(甲基-1H-苯并三唑-1-基)甲基]亚氨基]双乙醇,TT-LYK)在高碘酸钾(KIO4)体系下对Cu/Ru电偶腐蚀的影响.通过电化学实验研究了抑制剂对C...
  • 作者: 单书珊 赵扬 赵明敏 陈燕宁
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  72-76
    摘要: 随着超大规模集成(VLSI)电路的发展,芯片结构及工艺变得日益复杂,同时给失效分析工作带来了挑战.内嵌式存储器作为片上系统(SOC)内部模块的重要组成部分,其具有结构复杂、密度高等特点,常规...
  • 作者: 孔泽斌 廉鹏飞 李娟 杨洋 楼建设 王昆黍 祝伟明 陈倩
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  77-83
    摘要: 对一种功率运算放大器的失效问题进行了研究并分析了失效机理.功率运算放大器在测试时发生失效,同时,-20 V供电电源电压在加电过程中存在波动.通过内部目检发现失效芯片内部驱动晶体管及相连的金属...
  • 作者: 党鹏 史丽娜 张启华 杨阳 马昊
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  84-88
    摘要: 研究了非晶层占比对半导体器件透射电子显微镜(TEM)样品成像的影响.聚焦离子束(FIB)是制备TEM样品的重要工具,在TEM样品制备过程中,离子束损伤会在样品表面产生非晶层而使TEM图像产生...
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  88
    摘要:

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

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