半导体技术期刊
出版文献量(篇)
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半导体技术

Semiconductor Technology

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影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者: 赵正平
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2022年4期
    页码:  249-265,287
    摘要: 进入21世纪后,宽禁带半导体SiC电力电子学发展迅速,SiC二极管和SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)先后进入商品化,在电动汽车等绿色能源的应用发展的带动下,SiC电力电...
  • 作者: 张嵩 程文涛 王健 程红娟 闫礼 孙科伟 董增印
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2022年4期
    页码:  266-273
    摘要: 对Ⅲ-V族化合物半导体GaxIn1_xP材料的性质、应用和外延工艺的发展进行了简单阐述,重点介绍了 GaxIn1-xP材料的氢化物气相外延(HVPE)制备工艺对GaxIn1-xP外延层质量和...
  • 作者: 张娇 张亚民 冯士维
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2022年4期
    页码:  274-280
    摘要: GaN基微波功率器件在高电场影响下产生了界面缺陷和陷阱效应,加剧了器件有源区材料的损伤,是造成其在高频、大功率应用下电学参数退化的重要因素.提出了一种基于贝叶斯迭代的时间常数谱的提取方法,通...
  • 作者: 杜泽晨 吴沛飞 刘瑞 桑玲 田丽欣 张文婷 杨霏
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2022年4期
    页码:  281-287
    摘要: SiC器件具有高温、高压、高频的优异特性,广泛应用于交通、电力等领域,其国产化迫在眉睫.以全球能源互联网研究院有限公司研制的同一批次不同晶圆上的30个1 200 V/20 A SiC MOS...
  • 作者: 彭程 雷允超 毛育青
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2022年4期
    页码:  288-295,331
    摘要: 为了改善植物生长用LED灯具的散热性能,利用Icepak对其散热过程进行仿真.设定LED红、蓝、白组合光芯片数之比为3:1:1,研究矩形排列和三角形排列的排列顺序对温度的影响.开展了散热器几...
  • 作者: 韩新宁 廖港丽 崔慧娜 董文斌 赵震 姚垚
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2022年4期
    页码:  296-301,306
    摘要: 以乙酸锌为前驱体,采用一步溶剂热法成功制备了三维(3D)自组装氧化锌(ZnO)纳米花(NF),并采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和X射线光电子能谱仪(XPS)对...
  • 作者: 范伟海 韩兆翔
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2022年4期
    页码:  302-306
    摘要: 随着超大规模集成电路(VLSI)工艺的发展及低介电常数(k)材料的引入,芯片及测试结构对于水汽侵入的影响愈加敏感,从而对Cu互连可靠性测试的准确性提出了严峻的挑战.通过设计的实验验证了水汽侵...
  • 作者: 赵广胜 夏国明 裘安萍 施芹 赵阳
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2022年4期
    页码:  307-312,331
    摘要: 针对硅微谐振式加速度计(SRA),提出了 一种低噪声、低功耗、可集成的频率读出电路.频率读出电路主要基于Σ-Δ原理,实现了对量化噪声的调制与抑制,在0.1 Hz频率下实现了 0.1mHz/√...
  • 作者: 李鹏浩 吴蓉 马骁 杨新豪 陈思婷 邱昕 郭瑞
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2022年4期
    页码:  313-319
    摘要: 采用集成无源器件(IPD)工艺设计并实现了一款9阶椭圆低通滤波器和一款9阶椭圆高通滤波器.利用设计软件对电感元件、滤波器中的串联和并联谐振支路以及滤波器整体进行设计布局以及电磁仿真优化.低通...
  • 作者: 王坤 周宏健 周睿涛 李光超 苏郁秋
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2022年4期
    页码:  320-324
    摘要: 基于0.25 μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款0.8~3.2 GHz高精度6 bit单片微波集成电路(MMIC)数字移相器.该移相器的5.625°、11.2...
  • 作者: 任臣 杨拥军
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2022年4期
    页码:  325-331
    摘要: 为提高电容式传感器专用集成电路(ASIC)的检测精度,设计了一种三级运算放大器电路.该放大器电路为全差分实现形式,采用三级共源放大器级联结构,使用密勒补偿并调整零点抵消高频极点,以保证放大器...
  • 作者: 陈兴 樊渝 李梦琪
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2022年4期
    页码:  332-335
    摘要: 多功能芯片由单入单出单通道升级为多入多出多通道收发芯片,并大量应用于现代通信领域.针对多收发通道多功能芯片测试过程中,多次移动探针、重复压针、无法自动测量、测试效率低等不足,研究了多端口在片...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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