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半导体学报(英文版)2003年第z1期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 采用微乳液法制得粒径为6～8nm的Pt粒子,控制Pt粒子沉积温度、载体成型压力及热处理过程制得纳米疏水催化剂Pt/C/PTFE,在氢同位素气-液交换过程中,初步研究了其催化活性.结果表明:5...
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32. 压力传感器用NiCr纳米薄膜刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 采用离子束溅射纳米薄膜技术和半导体微细加工技术,将纳米薄膜应变电阻直接制作在金属弹性体上,实现了敏感元件与弹性体的原子结合,有效地解决了传统压力传感器中"零点漂移"技术难题,真正实现了在高温...
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33. 减反射薄膜的制备及其性能刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 使用射频溅射和溶胶-凝胶(Sol-Gel)两种方法在玻璃表面制备SiO2减反射薄膜,比较两种方法制备的薄膜减反效果.分析了Sol-Gel方法中溶胶浓度、陈化时间以及退火温度对薄膜透过率的影响...
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34. 硅微机械平面电感的衬底效应刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 提出了一种品质因数(Q)的计算方法,分析了对于平面螺旋电感Q值产生决定性影响的各种因素.在微机械电感传统模型的基础上对涡流效应产生的寄生电阻和有损衬底电容进行了细致的研究,并且得到了理论结果...
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35. 纳米级电子束直写曝光的基础工艺刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 电子束光刻技术具有极高的分辨率,其直写式曝光系统甚至可达到几纳米的加工能力.本文重点对不同的抗蚀剂、电子束/光学系统的混合光刻及邻近效应修正等技术进行了研究.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 采用动力学蒙特卡罗(Kinetic Monte Carlo)方法模拟了Si/Ge系统自组织生长Ge量子点过程中二维Ge岛成核的早期阶段.引入吸附原子导致的应力场,对原子扩散的势垒进行了修正....
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37. 纳电子隧穿器件的蒙特卡洛模拟刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 介绍了一种利用正统理论与蒙特卡洛方法模拟纳电子隧穿器件的程序.该程序可模拟电子通过包含小隧道结、电容和理想电压源的电路输运过程.并利用该程序,对含量子岛和量子岛阵列的纳电子学器件进行了模拟.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 利用传统微电子加工与纳米组装技术构建出了金属颗粒调制的复合碳纳米管场效应及单电子器件.电子输运性能测量结果表明这类复合碳纳米管电子器件具有一些不同于一般碳纳米管电子器件的独特性能.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 采用磁控溅射方法在p-Si (111)衬底上淀积5nm Pt膜,退火后形成PtSi薄膜,利用原子力显微镜和高分辨电子显微镜观察了PtSi薄膜的表面和界面特征.实验结果表明,工艺条件影响PtS...
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40. 纳米晶SnO2薄膜的结晶特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 采用磁控溅射技术,使用混合气体Ar和O2,在衬底温度为150～400℃的耐热玻璃基片上制备了纳米晶SnO2∶Sb透明导电薄膜,通过测定X射线衍射谱,表明薄膜择优取向为[110]和[211]方...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 文中所研究的结构Aharonov-Bohm(AB)是由两个耦合的量子点和与它们相耦合的源和漏组成,利用修正速率方程研究了横向点间耦合对AB结构输运性质的影响.结果表明:点间耦合将引起电子占据...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 提出了一种利用电子-核子自旋的半导体固体量子计算机实现方案.通过扫描隧道显微镜的针尖实现单个比特的寻址、操作以及任意两个比特之间的受控非门操作.方案中所涉及到的技术是目前已有的或者是接近于现...
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43. 纳米电子学刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 在比较三代电子器件的基础上,说明纳电子器件是电子器件发展的新一代,它的主要特征是单电子行为和显著的量子效应.与真空电子器件、微电子器件相比,纳电子器件在信号加工中的主要特性有:(1)单电子,...
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44. 硅基法布里-珀罗微腔的红光发射刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 以PECVD为制备工艺,a-SiO2∶H/a-Si∶H为分布式布拉格反射镜的多层膜,a-SiCx∶H为中间腔体发光材料,制备出垂直腔面的发光微腔.根据模拟结果确定了微腔的多层膜层数和排列顺序...
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45. 后硅器时代刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 纳米科学技术在20世纪最后10年诞生并得到迅速发展.讨论和论述了新兴的纳米科学技术的进展,展望了包括量子功能器件、薄膜传感器、纳米显示、纳米材料、生物技术和原子工程等的应用前景,同时给出了某...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 纳米世界有大美.有艺术图形的薄膜生长均出自相变.北京大学在研究超高密度信息存储纳米薄膜材料时发现只有少数几种组合材料可以出现具有艺术性的图形.文中论述了纳米相薄膜会出现远离平衡的自组织生长的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 研究了一种微层析成像(μCT,micro-computed tomography)用传感器.针对面阵CCD(charge coupled device)器件用于微层析成像线阵扫描中存在圆形光...
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48. 共振隧穿二极管的开关时间特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 用HP8510(C)网络分析仪测量了AlAs/InGaAs/AlAs共振隧穿二极管(RTD)的散射参数.通过曲线拟合提取了等效电路参数,估算了RTD的开关时间.通过速度指数估算的RTD上升时...
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49. 微纳米薄膜的悬浮腐蚀法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 介绍了一种腐蚀薄膜的研制方法及其装置.为制备带有各种金属引线及电极的大面积超薄悬浮薄膜(厚度:50～500nm、1～5μm;面积:3mm×2mm、10mm×5mm)提供了一种有效的方法.提高...
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50. 分子组装及其应用刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 在对分子组装及其应用于功能纳米结构或器件的研究进展进行了较系统分析的同时,介绍了东南大学纳米科学与技术研究中心在这方面所开展的一些工作,包括基于微细加工结合分子组装制备纳米间隙电极,金属纳米...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 研究了纳米SiO2的粒度对投影显示屏亮度均匀性的影响.结果表明,随着SiO2粒子粒度的减小,投影显示屏样品的亮度均匀性得到提高,并从纳米粒子的结构特点和散射机理方面进行了解释.
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52. 有机发光显示技术及有机半导体刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年z1期页码:摘要： 近年来有机发光显示技术及其应用的迅速发展,使人们对有机半导体材料和器件有了新的认识.有机半导体材料及器件是近期有望取得重大突破的一个十分活跃的研究领域.有机半导体材料有可能在有机电致发光、有...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
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| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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