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半导体学报(英文版)2005年第1期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 制备并研究了TiN栅薄膜全耗尽SOI CMOS器件,并对其关键工艺进行了详细阐述.相对于双多晶硅栅器件,在不改变阈值电压的前提下,可以减小nMOS和pMOS的沟道掺杂浓度,进而提高迁移率.由...
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32. 硅基AlN薄膜制备技术与测试分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 采用直流磁控反应溅射法,在Si(100),Al/Si(100)和Pt/Ti/Si(100)等多种衬底上制备了用于MEMS器件的AlN薄膜.用XRD和AES对薄膜的结构和组分进行了分析,通过优...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 采用化学水浴法制备了CdS多晶薄膜,通过XRD,AFM,XPS和光学透过率谱等测试手段研究了CdS多晶薄膜生长过程中的结构和性能.结果表明,随着沉积的进行,薄膜更加均匀、致密,与衬底粘附力增...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Mo/W/Ti/Au多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触,在溅射金属层之前分别用HCl溶液和(NH4)2S溶液对n-GaAs材料的表面进行处理.用传输线法对...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 通过高分辨X射线衍射仪中的二维点阵研究了溅射的CdTe介质膜对HgCdTe外延层的影响.发现在高溅射能量下沉积的钝化膜由于应力的作用,HgCdTe晶片出现弯曲及大量镶嵌结构,而这种镶嵌结构可...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 利用浓硼扩散腐蚀停止技术制备自由悬空硅薄膜时,在薄膜的表面观察到了呈分形生长的反应生成络合物聚集结构.研究表明,薄膜表面的生成物的分形属于典型的有限扩散集团凝聚模型,其分形维数值约为1.66...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 提出一种新结构的微波功率SiGe异质结双极晶体管(SiGe HBT),该结构通过在传统SiGe HBT的外基区下的集电区中挖槽并填充SiO2的方法来改善器件的高频性能.将相同尺寸的新结构和传...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 对注F和未注F CC4007器件在100℃高温老化后的Co60辐照特性进行了研究.研究发现辐照前的高温老化减少了注F器件在辐照中的界面态陷阱电荷的积累,但是普通器件辐照前的高温老化在减少辐照...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 成功制备了EOT(equivalent oxide thickness)为2.1nm的Si3N4/SiO2(N/O) stack栅介质,并对其性质进行了研究.结果表明,同样EOT的Si3N4...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 对少数载流子寿命横向非均匀分布(minority-carrier life time lateral non-uniform distribution,MLD)结构的快恢复二极管进行了理论研...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 针对SRAM阵列中的串扰,给出了一种新型布局结构,即字线的"错序译码"组织结构和位线的"间隔译码"组织结构."错序译码"组织结构是根据程序"顺序局部性"的特点提出的,"间隔译码"组织结构是根...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年1期页码:摘要： 设计了一种全差分高速环形压控振荡器(VCO).该VCO有三级,每一级的增益是快慢通路增益的矢量叠加和,快慢通路的增益由底部电流源决定,差分控制电压通过镜像电流源控制快慢通路的各自电流,最终实...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
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| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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