半导体学报(英文版)期刊
出版文献量(篇)
6983
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名: 半导体学报

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本学报是由中国电子学会主办,中国科学院半导体研究所承办的学术刊物,报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展,被EI、CA、SA等收录,在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有:研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉:
中科院优秀期刊二等奖(90)  全国优秀期刊三等奖(92)  全国优秀期刊三等奖(97) 
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
出版周期:
月刊
邮编:
100083
地址:
北京912信箱
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
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  • 作者: 刘肃 张福甲 李思渊 王永顺 陈金伙
    发表期刊: 2005年3期
    页码:  423-428
    摘要: 研究了静电感应晶体管(SIT)在大注入情况下出现的空间电荷效应,分析了空间电荷效应的物理机制.从理论上推导出了SIT工作在沟道势垒调制下的I-V特性的解析表达式,实验结果表明它们符合得较好....
  • 作者: 余志平 张大伟 田立林
    发表期刊: 2005年3期
    页码:  429-435
    摘要: 推导了双栅MOSFET器件在深度方向上薛定谔方程的解析解以求得电子密度和阈电压.该解析解考虑了任意深度情况下沟道中深度方向上电势的不均匀分布,结果与数值模拟吻合.给出了电子密度的隐式表达式和...
  • 作者: 张钊锋 李宝骐 杨丰林 闵昊
    发表期刊: 2005年3期
    页码:  448-454
    摘要: 将对称噪声滤波技术应用到4.8GHz LC全集成VCO设计中.该VCO具有很低的相位噪声以及716MHz的调节范围,在SMIC 0.25μm单层多晶、五层金属、n阱 RF CMOS工艺上实现...
  • 作者: 尹军舰 张海英 牛洁斌 钱鹤 陈立强
    发表期刊: 2005年3期
    页码:  472-475
    摘要: 报道了具有良好直流特性的晶格匹配InP基HEMT,器的跨导为600mS/mm,阈值电压为-1-2V,最大电流密度为500mA/mm,截止频率为120GHz.
  • 作者: 刘建平 张纪才 朱建军 杨辉 赵德刚 金瑞琴
    发表期刊: 2005年3期
    页码:  508-512
    摘要: 采用正交实验设计方法设计p型GaN的生长,通过较少的实验,优化了影响p型GaN性质的三个生长参数:Mg流量、生长温度和Ⅴ/Ⅲ比.过量的Mg源流量、过高的生长温度、过大的Ⅴ/Ⅲ比都会降低自由空...
  • 作者: 吴军 姬荣斌 孔金丞 杨宇 陈建才 马庆华
    发表期刊: 2005年3期
    页码:  513-516
    摘要: 利用水平推舟液相外延法,以CdZnTe作为衬底,固态HgTe作为Hg补偿源,从富Te-HgCdTe溶液中外延生长大面积HgCdTe薄膜.通过选择合适的温度和生长速率,获得了组分均匀性和重复性...
  • 作者: 乔明 张正璠 张波 方健 李肇基 雷宇
    发表期刊: 2005年3期
    页码:  541-546
    摘要: 提出有n埋层的横向变掺杂双RESURF 新结构高压LDMOS器件.该结构器件与常规LDMOS相比,采用了相对较薄的外延层,使之与标准CMOS工艺的兼容性得到了改善.基于二维器件仿真软件MED...
  • 作者: 周强 洪先龙 王旸 蔡懿慈
    发表期刊: 2005年3期
    页码:  601-605
    摘要: 提出了一种新的优化的基于模型的光学邻近矫正算法,该算法充分考虑了图形内部及图形之间的光学邻近影响,实现了线段切割和移动步长的自适应性,提高了系统的矫正精度及矫正速度,实验结果表明该算法是有效...
  • 作者: 叶甜春 李海江 王守国 赵玲利
    发表期刊: 2005年3期
    页码:  613-617
    摘要: 介绍了一种新型的常压射频激励低温冷等离子体喷射装置,利用电流和电压探针研究了该等离子体的放电特性,利用热电偶研究了喷射出的等离子体束流温度,得到其放电与传统的真空室中电容耦合放电具有一致的特...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖(90)
2. 全国优秀期刊三等奖(92)
3. 全国优秀期刊三等奖(97)

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