半导体学报(英文版)期刊
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8

半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名: 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办,中国科学院半导体研究所承办的学术刊物,报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展,被EI、CA、SA等收录,在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有:研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉:
中科院优秀期刊二等奖(90)  全国优秀期刊三等奖(92)  全国优秀期刊三等奖(97) 
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
出版周期:
月刊
邮编:
100083
地址:
北京912信箱
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
文章浏览
目录
  • 作者: 刘宗顺 孙宝娟 张书明 朱建军 杨辉 梁骏吾 段瑞飞 江德生 王玉田 赵德刚 马志芳
    发表期刊: 2008年7期
    页码:  1242-1245
    摘要: 采用高分辨X射线衍射对在蓝宝石(0001)面生长的GaN外延膜的漫散射进行了研究.结果表明,GaN薄膜中存在缺陷团,其浓度随着穿透位错密度的增加而增加,其平均半径呈相反趋势.基于位错是点缺陷...
  • 作者: 幸新鹏 李冬梅 王志华
    发表期刊: 2008年7期
    页码:  1249-1253
    摘要: 介绍了一个新型电流模带隙基准源,该带隙基准源的输出基准可以设计为任意大于硅材料的带隙电压(1.25V)的电压,避免在应用中使用运算放大器进行基准电压放大.同时该结构消除了传统电流模带隙基准源...
  • 作者: 刘磊 杨晓丽 汪宇 陈诺夫 高福宝
    发表期刊: 2008年7期
    页码:  1258-1262
    摘要: 利用液相外延法(LPE)在n型GaSb衬底上成功制备了用于热光伏电池的Ga1-xInxAsySb1-y四元合金薄膜.通过原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了分析评价.x射线能谱(EDAX)分析...
  • 作者: 叶威 孙以材 张鹏 杨茂峰 潘国峰
    发表期刊: 2008年7期
    页码:  1281-1285
    摘要: 用斜置式四探针测定了硅单晶片(Ф75mm)上3mm间距测试点的电阻率分布.本文从电阻率的统计分布出发,确定了电阻率的分隔数和差值,采用指数函数作为模糊集的隶属度,并且选择合适的门槛值,利用模...
  • 作者: 刘舒 张立功 申德振 郑著宏 金华
    发表期刊: 2008年7期
    页码:  1326-1329
    摘要: 用飞秒脉冲泵浦.探测技术通过时间分辨差分透射谱和透射衰减曲线研究了ZnSe0.2Te0.8/ZnTe Ⅱ型多量子阱结构中热载流子的产生、弛豫及复合过程.观察到阱层和垒层中热载流子的形成,Zn...
  • 作者: 曹俊诚 王立敏
    发表期刊: 2008年7期
    页码:  1357-1359
    摘要: 外加太赫兹(THz)场垂直入射高电子迁移率晶体管(HEMT),使得HEMT中产生的载流子激发沟道内的等离子振荡,振荡频率处于太赫兹范围.论文研究了外加磁场对该器件电流特性的影响.结果表明,随...
  • 作者: 刘江 包军林 庄奕琪 彭绍泉 杜磊 苏亚慧
    发表期刊: 2008年7期
    页码:  1360-1364
    摘要: 基于金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)噪声的载流子数涨落和迁移率涨落理论,建立起MOSFET抗辐照能力预测模型.利用该模型,可较好地通过辐照前的1/f噪声参量,预测辐照后分别由...
  • 作者: 刘世元 史铁林 廖广兰 林晓辉 汤自荣 聂磊 马沧海
    发表期刊: 2008年7期
    页码:  1369-1372
    摘要: 研究了UV辅助活化与湿化学清洗活化相结合的圆片直接键合技术,并利用红外测试系统、单轴拉伸测试仪和场发射扫描电子显微镜,结合恒温恒湿实验、高低温循环实验对键合质量进行了测试.结果表明,采用该技...
  • 作者: 侯阳 孙晓玮 张健 李凌云
    发表期刊: 2008年7期
    页码:  1373-1376
    摘要: 基于0.15μm GaAs pHEMT工艺,设计和制作了一款宽带单片集成低噪声放大器.放大器设计采用四级级联的拓扑结构以获得高增益.芯片尺寸2mm×lmm.实测性能指标为:工作频段45~65...
  • 作者: 张春 李永明 王志华 王敬超 高天宝
    发表期刊: 2008年7期
    页码:  1403-1406
    摘要: 分析了超高频RFID读写器的系统结构,设计了用于读写器射频收发机中调制和解调的模块,并在0.18μm CMOS工艺下进行了流片验证.测试结果表明,调制器输入ldB压缩点可达14dBm,插入损...
  • 作者:
    发表期刊: 2008年7期
    页码:  1430-1431
    摘要:

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖(90)
2. 全国优秀期刊三等奖(92)
3. 全国优秀期刊三等奖(97)

半导体学报(英文版)统计分析

被引趋势
(/次)
(/年)
学科分布
研究主题
推荐期刊