一个新型CMOS电流模带隙基准源

• 作者: 幸新鹏 李冬梅 王志华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS 带晾基准源 电流模
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1249-1253
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 897字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.07.004

摘要

介绍了一个新型电流模带隙基准源,该带隙基准源的输出基准可以设计为任意大于硅材料的带隙电压(1.25V)的电压,避免在应用中使用运算放大器进行基准电压放大.同时该结构消除了传统电流模带隙基准源的系统失调.该带隙基准源已通过UMC 0.18μm混合信号工艺验证.在1.6V电源电压下,该带隙基准源输出1.45V的基准电压,同时消耗27μA的电流.在不采用曲率补偿的情况下,输出基准的温度系数在30℃到150℃的温度范围内可以达到23ppm/℃.在电源电压从1.6变化到3V的情况下,带隙基准源的输入电压调整率为2.1mV/V.该带隙基准源在低频(10Hz)的电源电压抑制比为40dB.芯片面积(不包括Pads)为0.088mm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李冬梅	清华大学电子工程系	81	611	13.0	21.0
2	王志华	清华大学微电子学研究所	183	1964	21.0	36.0
3	幸新鹏	清华大学微电子学研究所	4	131	3.0	4.0