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电子器件2007年出版文献
出版文献量（篇）
5460
总下载数（次）
21
总被引数（次）
27643
电子器件
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本刊主要向国内外介绍有关电子学科领域的新理论、新思想、新技术和具有国内外先进水平的最新研究成果和技术进展。本刊发扬学术民主，坚持双百方针，为促进国内外学术交流、促进电子科学技术快速发展和国民经济建设服务。 本刊主要刊登真空电子学、微波电子学、光电子学、薄膜电子学、电子显示技术、激光与红外技术、半导体物理与器件、集成电路与微电子技术、光纤技术、真空物理与技术、表面分析技术、传感技术、电子...
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主办单位：
东南大学
期刊荣誉：
江苏省二级期刊
获《CAJ-CD规范》执行优秀奖
ISSN：
1005-9490
CN：
32-1416/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
210096
地址：
出版文献量（篇）
5460
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刊名： 电子器件发表期刊： 2007年2期页码:摘要： 介绍了基于数字音频广播系统的正交频分复用调制符号的生成原理和参数要求,采用改进的基二蝶形单元结构和改进的地址生成单元,在FPGA上利用较少的硬件资源完成了一种对768个子载波模式的调制符号生...
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182. NMEA0183协议解析刊名： 电子器件发表期刊： 2007年2期页码:摘要： NMEA0183协议解析模块是导航系统中重要的软件模块,该模块的健壮性和高效性直接关系到整个导航系统的性能.经过深入分析NMEA0183协议的结构和编译技术的特点,提出了一种利用编译技术解析...
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183. 一种低功耗16位定点DSP IP核的设计刊名： 电子器件发表期刊： 2007年2期页码:摘要： 采用改进T0编码技术实现了数字信号处理器(DSP)的程序总线编解码器,并改进了翻转编码技术实现了DSP的数据总线编解码器,有效降低DSP的内部数据和地址总线的动态功耗.经功耗分析,DSP的程...
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184. 嵌入式系统设计中的协同验证方法及应用刊名： 电子器件发表期刊： 2007年2期页码:摘要： 协同验证是在嵌入式系统协调设计过程中用以检验系统功能是否正确的有效手段.由于精确指令集模拟器模拟的细节多,速度慢,通常成为复杂嵌入式系统协同验证的瓶颈.因此,一种使用接口代理方式的多层次验证...
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185. 可编程多协议串行通信接口设计刊名： 电子器件发表期刊： 2007年2期页码:摘要： 分析了网络协议测试仪的串行通信接口功能,设计了一种可编程多协议串行接口电路.该电路以SP505多协议串行通信收发器和ispLSI 2064E可编程逻辑器件为核心,通过CPU在线设定工作方式和...
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186. 基于Java的串口通信刊名： 电子器件发表期刊： 2007年2期页码:摘要： 为实现计算机与外围数据源设备的自由通信,能耗监控系统采用了串口通信的方式,而Java对开发该系统具有其独特的优势.系统在Java程序中使用comm.jar开发包通过RS-232串口收发数据,...
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187. 基于FPGA的PCI总线接口设计刊名： 电子器件发表期刊： 2007年2期页码:摘要： PCI总线,由于其优异的性能被广泛应用于数据采集和控制系统,相对于专用的PCI接口芯片来说,用FPGA设计PCI接口显得更加自由灵活.为了在FPGA上实现简化的PCI接口控制器采用模块设计的...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2007年2期页码:摘要： 文章以车载汽车电子多媒体音频系统为研发背景,采用TI公司的双核(ARM+DSP)芯片0MAP5912,构建出低功耗、高性能的音频系统硬件平台.详细介绍了OMAP平台的系统结构,并结合其特点,...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2007年2期页码:摘要： 介绍了利用IS42S16400A同步动态RAM(SDRAM)扩展TMS320VC5509DSP系统外部存储空间的设计方法.在研究了IS42S16400A的工作特性和C5509EMIF(Ext...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2007年2期页码:摘要： 介绍了CF卡的基本结构和工作原理,然后在基于ARM7TDMI内核的SEP3203嵌入式处理器的嵌入式系统中,利用Altera公司的CPLD蕊片EPM7032成功实现了CF卡接口的扩展,提供了...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 首先根据生化微传感SOC的应用场合和微传感器的特点,选定CR SAR ADC作为片内嵌入类型;基于SOC的标准CMOS工艺实现和低功耗的设计目标,分别进行了电容阵列、比较器、开关阵列和SAR...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 本文报道了基于国产外延材料的SiC基AlGaN/GaN高迁移率晶体管(HEMT)器件的研制,外延材料利用金属有机物化学气相淀积技术(MOCVD)生长,器件栅长0.8 μm,输出电流密度达到0...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 微电子技术的快速发展,促使硅基传感器向着集成化、微型化、可批量加工方向发展.对于pH-ISFET集成芯片而言,如何以MEMS工艺制备性能优良的pH功能膜,是其发展的关键.目的:以适合批量加工...
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194. 电子束蒸发法制备六硼化镧薄膜及其特性研究刊名： 电子器件发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 用电子束蒸发的方法在Ta衬底上制备了LaB6薄膜,用电子显微镜、X射线光电子能谱仪对样品的表面状况、化学组分进行了分析.采用真空热电子发射法测出了LaB6薄膜的逸出功.结果表明,电子束蒸发的...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 采用商用标准0.6 μm体硅CMOS工艺设计了不同宽长比、不同沟道长度及不同版图结构的非加固型NMOS晶体管作为测试样品.经高剂量60Coγ射线的总剂量辐照实验,讨论其在不同栅源偏置电压下的...
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196. 含氟聚酰亚胺有机聚合物波导的制备刊名： 电子器件发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 采用含氟单体4,4'-(六氟异丙基)-苯二酸酐(6FDA)、5,5'-(六氟异丙基)-二-(2-氨基苯酚) (6FHP)及二氨基二苯醚(ODA)合成了含氟聚酰亚胺共聚物材料,对材料的化学和光...
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197. 温度对硅纳米薄膜杨氏模量的影响刊名： 电子器件发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 采用分子动力学方法计算了100 K、300 K、400 K和500 K四个温度下硅纳米薄膜[110]与[11-0]两个方向上的杨氏模量.结果表明,[110]与[11-0]两个方向杨氏模量有较...
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198. 1 000 V VDMOS的优化设计研究刊名： 电子器件发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 主要是寻找一种优化设计1 000 V的VDMOS的方法.通过分析VDMOS导通电阻及关态击穿电压的理论模型,找到影响器件静态特性的主要参数:外延电阻率及厚度、栅的长度、p-body结深,针对...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 采用溶液-溶胶-凝胶法制备(Ba0.70Sr0.25Cd0.05)TiO3纳米粉体,利用所得到的纳米粉体研究了(Ba0.70Sr0.25Cd0.05)TiO3基多层陶瓷电容器用超细陶瓷的制备...
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200. 微波电路中In/Au合金焊点的失效分析刊名： 电子器件发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 本文针对微波电路元件焊接脱落问题,分析了In/Au合金焊点的微观结构及成分, 研究了In/Au芯片焊接的失效模式.找出了焊点脱落的主要原因:温度控制不当引起焊点的过热吃金或焊料的氧化引起的浸...
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201. 微波管内的表面击穿刊名： 电子器件发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 全面介绍了真空条件下表面击穿的研究状况,重点讨论了二次电子发射雪崩理论,论述了二次电子发射、陶瓷表面处理、磁场、解吸附等因素对表面击穿的影响,并讨论了增加表面击穿电压的各种办法.为研究微波管...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 从几何和物理光学角度分析了影响GaN基LED提取效率的因素,并以理论分析为基础,利用Monte-Carlo光线追踪的方法,对GaN基LED的提取效率进行模拟,比较不同器件结构对LED提取效率...
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203. 体硅高压LDMOS器件二维温度分布模型刊名： 电子器件发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 体硅高压LDMOS器件,在不同工作方式下,自身的发热情况也不同.本文通过解热传导方程,研究了体硅N-LDMOS器件准二维温度分布模型.通过该模型,分析了体硅高压N-LDMOS器件工作在线性区...
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204. 高压VDMOS电容的研究刊名： 电子器件发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 本文主要研究了VDMOS电容的组成,详细分析了Ciss、Coss和Crss这3个VDMOS电容参数的定义和各自对应的特性,并从模拟上着重分析了沟道长度和栅氧厚度对电容的影响.文中提出一种反馈...
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205. 芯片剪切强度的工序能力分析刊名： 电子器件发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 确定了芯片剪切强度的三种工艺规范区域:分别是芯片面积小于0.32 mm2、大于4.13 mm2和在两者之间的三种规范区域;并使用工序能力指数Cpk对芯片剪切强度进行了分析,根据分析结果,指出...
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206. 集成光波导开关阵列真延时模块设计刊名： 电子器件发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 阐述了光波导真延时器件的工作原理及其在相控阵雷达中的应用,通过氟化聚酰亚胺聚合物条形光波导和光开关阵列的集成,提出了一种集成光波导开关阵列真延时模块的设计方案,将光波导和开关阵列集成在一个基...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 对PDSOI CMOS 器件及电路进行总剂量辐照的加固势必会引起其性能下降,这就需要在器件及电路加固和其性能之间进行折中.从工艺集成的角度,对PDSOI CMOS器件和电路的总剂量辐照敏感区...
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208. 通信用过流过压保护模块的工作机理分析刊名： 电子器件发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 本文分析了通信用过流过压保护模块YD-CLP200M在过压保护、正浪涌和负浪涌过流保护模式下的工作原理,给出了与器件结构参数有关的内部等效电路.针对不同的器件结构参数,利用MEDICI器件模...
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209. 一种新型超宽带平面单极子天线刊名： 电子器件发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 设计了一种结构简单的H形双面印刷超宽带单极子天线.通过采用FDTD建模和HFSS软件仿真分析发现,适当调整天线凹槽的长宽和改变馈电结构可以调整天线的中心频率与带宽.由此设计制作了这种天线,并...
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刊名： 电子器件发表期刊： 2007年3期页码:摘要： 报道了一种可直接应用于无线接收系统前端的具有较低噪声系数和较高相关增益的MMIC低噪声放大器,该低噪声放大器采用0.50 μm GaAs PHEMT工艺技术制作.电路设计采用两级级联结构,为...
电子器件基本信息
| 刊名 | 电子器件 | 主编 | 孙立涛 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 东南大学 | 主管单位 | 中华人民共和国教育部 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1005-9490 | CN | 32-1416/TN |
| 邮编 | 210096 | 电子邮箱 | dzcg-bjb@seu.edu.cn |
| 电话 | 025-83794925 | 网址 | |
| 地址 | 南京市四牌楼2号 |
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