电子元件与材料期刊
出版文献量(篇)
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电子元件与材料

Electronic Components & Materials

CACSCDJSTSACSTPCD

影响因子 0.4379
本刊报道国内外在电子元件、电子器件、电子材料领域所取得的有关基础理论、生产技术、应用开发等方面的最新科研成果,报道科学技术和行业发展的动态,介绍新产品和市场信息。本刊兼顾创新性、实用性、系统性和导向性,深受广大读者好评;一直被确认为无线电电子学类全国中文核心期刊;被CA和IEE INSPEC全文收录;系中国科学引文数据库来源期刊,系中国科技论文统计源期刊。
主办单位:
中国电子学会 中国电子元件行业协会 国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
期刊荣誉:
第二届国家期刊奖百种重点期刊(2003年)  
ISSN:
1001-2028
CN:
51-1241/TN
出版周期:
月刊
邮编:
610051
地址:
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
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  • 作者: 刘敏 周洪庆 王晓钧
    发表期刊: 2001年4期
    页码:  1-2
    摘要: 为制备高强度低损耗复合介质,采用热压工艺进行复合介质的成型与烧结,系统地探讨了加热温度、成型压力等工艺参数,对聚四氟乙烯(PTFE)树脂复合陶瓷介质材料微观结构、介电性能与力学性能的影响.采...
  • 作者: 江丽君 江涛 谭小球 邹琼 郭育源 魏群
    发表期刊: 2001年4期
    页码:  3-4
    摘要: 探讨三价阳离子(Mx3+=Sb,Y,Nd,La,x=0.02~0.06)固溶于(Sr,Ca)TiO3瓷晶相中,产生缺位补偿的A缺位(VA)点缺陷结构及其介电性能关系.A缺位浓度[VA]取决于...
  • 作者: 刘世建 徐重阳 曾祥斌
    发表期刊: 2001年4期
    页码:  5-6
    摘要: 探讨了射频磁控溅射用(Ba0.67Sr0.33)TiO3陶瓷靶的烧结工艺,并用电子探针和X射线粉晶衍射法对其成分和微观结构进行了分析.结果表明,900~1 000℃烧结出的(Ba0.67Sr...
  • 作者: 纪士东 郭露村
    发表期刊: 2001年4期
    页码:  7-8
    摘要: 从材料设计的角度出发,比较了一般压敏陶瓷、电容器陶瓷与电容-压敏功能复合材料的异同.通过Nb2O5的施主掺杂控制材料的晶粒电阻率,研究了其他掺杂物如MnO2、Bi2O3、Pb3O4、BaCO...
  • 作者: 何军辉 柳永胜 黄祥伟
    发表期刊: 2001年4期
    页码:  9-10,13
    摘要: DS1820是采用单总线协议的数字温度传感器,其内部自带有循环冗余码CRC(Cyclic Redundancy Code)硬件发生电路,但实际使用时,许多人为了避免整个程序的复杂性,往往忽略...
  • 作者: 周怡琳 章继高
    发表期刊: 2001年4期
    页码:  11-13
    摘要: 由于国内环境污染严重,镀金表面经过长期室内自然暴露后生成了大量呈岛状离散分布的腐蚀物.腐蚀物由处于中心的腐蚀核及环绕的腐蚀晕圈组成,腐蚀核下是微孔.在镀金表面的腐蚀物上进行微动试验,发现较薄...
  • 作者: 吴申立
    发表期刊: 2001年4期
    页码:  14-15
    摘要: 讨论了低温共烧陶瓷基板薄膜金属化技术中,有效阻碍层的选择对基板共晶焊的剪切强度、互连阻抗、可焊性的影响.试验结果表明,Ti / Ni是一种高可靠性的阻碍层,且Ti / Ni / Au也是一种...
  • 作者: 杜红云
    发表期刊: 2001年4期
    页码:  16-17
    摘要: 讨论了#1和#2两种超细金粉在电子浆料中的应用.#1超细金粉用于印刷型金导体浆料中,线分辨率高,性能稳定.#2超细金粉应用于焊接型金导体浆料,满足欧姆接触和附着力的要求.
  • 作者: 王玉华
    发表期刊: 2001年4期
    页码:  18-19
    摘要: CD110型铝电解电容器主要原材料(阳极箔、阴极箔、电解纸)国产化时应遵循的一些技术规范要求,确保采用国产化材料后产品的质量水平不下降,而产品的成本大幅度降低,使产品在市场上的竞争力大大增强...
  • 作者: 赵双群
    发表期刊: 2001年4期
    页码:  20,23
    摘要: 利用电容-电压关系研究了施主Nb掺杂BaTiO3陶瓷离子缺位对晶界势垒的影响,得出了样品在不同冷却速率下的晶界势垒高度和载流子浓度,其值与施主掺杂含量和样品的冷却速率相关,此结果可由在高、低...
  • 作者: 宋晔 朱绪飞 王新龙 车剑飞
    发表期刊: 2001年4期
    页码:  21-23
    摘要: 试验测出了电容器的气体析出曲线,研究了升压电流、蒸汽压和电解液量等对释放气体压力的影响.试验结果表明:升压电流越大,释放气体越多;电容器中多余电解液越多,其内压越大.推算了电容器临界起鼓压力...
  • 作者: 吴孟强 周旺 梁逵 陈艾
    发表期刊: 2001年4期
    页码:  24-26
    摘要: 超大容量离子电容器又称电池型电容器,是一种介于静电电容器与二次电池之间的一种新型储能器件.它具有比静电电容器大得多的能量密度,又有比二次电池大得多的功率密度.适宜于短时大电流放电的情况下工作...
  • 作者: 席少华 曹建琳 朱盈权 王承珍 覃建华
    发表期刊: 2001年4期
    页码:  27-29
    摘要: 研究了中日两国BaTiO3系PTC热敏电阻器用高纯CaCO3的生产能力、生产方法、技术标准与质量水平等.其中着重对其化学特性(纯度或含量;杂质)、物理特性(粒子形状、粒度分布、平均粒径、密度...
  • 作者: 姚思德 张聪 李威 李荣群
    发表期刊: 2001年4期
    页码:  30-32
    摘要: 介绍高分子PTC材料的历史、结构组成、理论和工艺研究进展,以及国内外的应用和产业化发展情况,并就高分子PTC材料的理论研究和产业化发展提出见解.
  • 作者: 王冬青 邢爱堂 陈景标 靳梅
    发表期刊: 2001年4期
    页码:  33-34
    摘要: 结合集成电路制造工艺仿真系统TSUPREM的发展历史,回顾了集成电路工艺仿真技术的发展,并着重介绍了Avanti公司的深亚微米工艺仿真系统TSUPREM-4 1999.4.
  • 作者: 王劲松
    发表期刊: 2001年4期
    页码:  35
    摘要: 从超声波清洗用清洗溶剂,特别是替代消耗臭氧层物质的氯化氟代碳(CFC)清洗溶剂等方面介绍了集成电路的清洗技术;还介绍了集成电路的免清洗工艺技术, 使用免清洗工艺技术对各道关键工序的控制及采用...
  • 作者: 毛陆虹
    发表期刊: 2001年4期
    页码:  36-37
    摘要: "硅光负阻器件的研究”、"高频高速硅光负阻器件的研究”是国家自然科学基金和天津自然科学基金资助的项目,由天津大学电子信息工程学院微电子系新型器件小组承担研究工作.笔者围绕着该两项课题进行了硅...
  • 作者: 高卫宁
    发表期刊: 2001年4期
    页码:  38
    摘要:
  • 作者: 高卫宁
    发表期刊: 2001年4期
    页码:  39-41
    摘要:

电子元件与材料基本信息

刊名 电子元件与材料 主编 钟彩霞
曾用名
主办单位 中国电子学会 中国电子元件行业协会 国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1001-2028 CN 51-1241/TN
邮编 610051 电子邮箱 journalecm@163.com/zhubei5148@163.com
电话 028-84391569 网址 www.cnelecom.net
地址 成都市一环路东二段8号宏明商厦702室

电子元件与材料评价信息

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