薄膜金属化低温共烧陶瓷基板的阻碍层对共晶焊的影响

• 作者: 吴申立
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 低温共烧陶瓷基板 薄膜金属化 共晶焊 阻碍层 剪切强度
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 14-15
• 页数: 2页
• 分类号: TN45
• 字数: 1875字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2001.04.007

摘要

讨论了低温共烧陶瓷基板薄膜金属化技术中,有效阻碍层的选择对基板共晶焊的剪切强度、互连阻抗、可焊性的影响.试验结果表明,Ti / Ni是一种高可靠性的阻碍层,且Ti / Ni / Au也是一种较理想的低温共烧陶瓷基板薄膜金属化结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴申立		4	6	2.0	2.0