电子元件与材料期刊
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电子元件与材料

Electronic Components & Materials

CACSCDJSTSACSTPCD

影响因子 0.4379
本刊报道国内外在电子元件、电子器件、电子材料领域所取得的有关基础理论、生产技术、应用开发等方面的最新科研成果,报道科学技术和行业发展的动态,介绍新产品和市场信息。本刊兼顾创新性、实用性、系统性和导向性,深受广大读者好评;一直被确认为无线电电子学类全国中文核心期刊;被CA和IEE INSPEC全文收录;系中国科学引文数据库来源期刊,系中国科技论文统计源期刊。
主办单位:
中国电子学会 中国电子元件行业协会 国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
期刊荣誉:
第二届国家期刊奖百种重点期刊(2003年)  
ISSN:
1001-2028
CN:
51-1241/TN
出版周期:
月刊
邮编:
610051
地址:
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
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  • 作者: 杜国栋 杨军 王建中 王银华 许金强
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  1-5
    摘要: 从铝箔杂质和腐蚀液添加剂两个方面概述了国内外在提高中高压铝电解电容器比电容方面的研究进展,其中包括镁、铁、硅、铅等杂质及缓蚀剂和表面活性剂的研究.并介绍了铝电解电容器的几种腐蚀机理,如氯离子...
  • 作者: 黄刚
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  6-9
    摘要: 根据高频开关电源变压器对高性能功率铁氧体材料的要求,分析研究了主配方、微量添加物和烧结工艺对铁氧体材料的高起始磁导率(μi)、饱和磁通密度(Bs)、低功率损耗(Pc)等特性的影响,得出:通过...
  • 作者: 胡强
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  10-12
    摘要: 从BGA的封装形式、PCB的设计、焊膏印刷、贴片、回流焊接工艺等方面分析了BGA组装过程中应注意的问题及其预防措施.以常用的PBGA和CBGA为例,分析了两种不同封装形式BGA的结构特点和组...
  • 作者: 印志强 赵兴中 陈章红
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  13-15
    摘要: 用sol-gel法在Pt/SiO2/Si基片上制备了未掺杂和掺杂Zn的钛酸锶钡(BST)薄膜.用XRD对BST薄膜进行了物相分析,研究了Zn掺杂对薄膜的表面形貌和介电调谐性能的影响.结果表明...
  • 作者: 常爱民 杨忠波 赵青
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  16-17,20
    摘要: 采用碳酸盐固相合成法制备Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)粉体,应用微波烧结技术将粉体烧结成陶瓷.对样品的介电性能进行了测试,研究分析了材料的介电性能,并与传统制备工艺获得的样品进行了性...
  • 作者: 庄凯 李兵红 梁逵 胡军
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  18-20
    摘要: 以炭化椰壳为原料,微波活化制备出高比电容量双电层电容器用活性炭.考察了微波辐射时间、起电弧时间,以及KOH与炭化椰壳配比对活性炭比电容量的影响.结果表明,在微波辐射时间为7 min,起电弧时...
  • 作者: 丁士华 李兵红 梁逵
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  21-23
    摘要: 采用化学沉淀法制备出超级电容器用纳米MnO2电极材料,研究了热处理工艺对MnO2电容性能的影响.结果表明,产物主相为α-MnO2,粒度分布较均匀,在50~100 nm;热处理温度和时间对Mn...
  • 作者: 张伟 张福学 朴林华
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  24-26,29
    摘要: 研究了气流式惯性组合陀螺的结构原理与信号处理技术.采用热敏电阻作为热源和敏感元件,在密闭腔中使气体产生自然对流,用硬件电路和数字化软件补偿技术,将载体姿态信号提取并进行处理.研制出测量范围为...
  • 作者: 王娅辉 葛利玲 赵小艳 赵麦群 顾琳
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  27-29
    摘要: 通过添加稀土Ce研究了Sn-3.0Ag-2.8Cu系焊料合金的显微组织和性能.用光学显微镜、SEM、EDX对其显微组织进行分析,并且对其导电性,润湿性,硬度等重要性能进行测试.结果表明,添加...
  • 作者: 李莉 童茂松 翁爱华
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  30-32
    摘要: 采用sol-gel法,制备了复合钒钼酸H2V8.5Mo3.5O32·nH2O干凝胶薄膜湿敏元件.测试频率为1 kHz时,元件全湿范围内线性响应好,灵敏度高,最大湿滞约为RH 2.74%,响应...
  • 作者: 徐甲强 沈嘉年 王晓华 王焕新 韩建军
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  33-35
    摘要: 以InCl3·4H2O为原料,用微波水解法制备In2O3纳米颗粒,并用TEM、XRD对合成材料的形貌和结构进行了表征.结果表明,所制的产品为球形In2O3,平均粒径为20 nm;用静态配气法...
  • 作者: 于成龙 单联娟 江红涛 王秀峰
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  36-39
    摘要: 用DSC、IR及XRD研究了用于陶瓷快速制造的聚乙烯醇凝胶热分解过程.利用SEM观察了两种温度制度下金红石瓷的显微结构.结果表明:由于生成双二醇结构,胶凝后的聚乙烯醇红外光谱短波附近的衍射已...
  • 作者: 崔升 沈晓冬 范凌云 袁林生
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  40-42
    摘要: 以硝酸银为原料,水为反应介质,聚乙烯吡咯烷酮为保护剂,甲酸铵作为还原剂,利用普通液相还原法常温一步直接制备得到平均粒径在10 nm左右的纳米级银粉.采用XRD、EDS、TEM等测试手段,对所...
  • 作者: 李忠 李玉国 石礼伟 薛成山
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  43-45
    摘要: 用电泳法在硅衬底上沉积了ZnO/SiO2复合薄膜,然后在650℃和950℃退火热处理30 min.测试结果表明,样品经650℃退火后,复合薄膜ZnO和SiO2微晶颗粒集结成块状,结晶程度较高...
  • 作者: 林孟平 林航 王炳喜
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  46-48
    摘要: 将N990炭黑进行高温热处理,把热处理后的炭黑与高密度聚乙烯熔融混合制成复合材料.采用BET、XRD和XPS方法研究热处理炭黑的结构,电阻-压力曲线评价其导电能力,电阻率-温度曲线研究其复合...
  • 作者: 冯可芹 杨刚 杨屹 郭尔奇
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  49-51
    摘要: 对NdFeB合金的Ar保护烧结和真空烧结进行了对比研究.SEM显微观察发现,与Ar保护烧结的磁体相比,真空烧结磁体中的点状和块状富Nd相相对较小,且存在着明显的线状缺陷.蒸气压理论计算表明,...
  • 作者: 曹良足 李蔓华 胡鸿豪 范跃农
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  52-54
    摘要: 采用常规陶瓷加工成型及烧结工艺,研究了在Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)陶瓷中掺杂1.0%,20.0%,40.0%,60.0%(质量分数)的MgO后介电性能的变化规律.又通过对微波介质...
  • 作者: 李娜 蔡敏
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  55-57
    摘要: 采用紧束缚近似的方法,研究了由单苯基分子构成的三端器件的I-V特性.所得结果近似表现出了MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)器件的电学规律;同时模拟并讨论了该器件的I...
  • 作者: 周方桥 王正宇 陈志雄
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  58-60,63
    摘要: 以BaCO3、SnO2为原料,微量SiO2、Bi2O3、Sb2O3作烧结助剂,Ta2O5作施主,采用传统的固相反应法,制备出相对密度达97%~99%,平均粒径约为8 μm的BaSnO3半导体...
  • 作者: 胡毅 苏卫彦 陈亿裕
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  61-63
    摘要: 为了获得适合低压特种变压器、手机等用过流过热保护作用的高居里点、低电阻率的PTCR材料,在采用传统的电子陶瓷制造工艺的基础上,通过液相施主掺杂及对改性剂配方优化的方法进行了研究.当液相掺杂S...
  • 作者: 李宇君 杨道国 罗海萍
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  64-66,70
    摘要: 采用通用有限元软件分析和计算器件在潮湿环境下的潮湿扩散,并计算由于吸潮使器件在无铅回流的高温下产生蒸汽压力,并对层间开裂现象进行分析.结果表明,气压是层间开裂的主要原因,在气压和热机械应力的...
  • 作者: 曾晓雁 李敬 李祥友 李金洪
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  67-70
    摘要: 采用微细雾化喷射沉积直写的方法在陶瓷基板上制备银厚膜导体.主要研究了施加气压、喷嘴到基板距离、直写速度以及雾化气压对导体线宽的影响规律,分析了微型喷嘴雾化直写厚膜导体机理,并优化了工艺参数,...

电子元件与材料基本信息

刊名 电子元件与材料 主编 钟彩霞
曾用名
主办单位 中国电子学会 中国电子元件行业协会 国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1001-2028 CN 51-1241/TN
邮编 610051 电子邮箱 journalecm@163.com/zhubei5148@163.com
电话 028-84391569 网址 www.cnelecom.net
地址 成都市一环路东二段8号宏明商厦702室

电子元件与材料评价信息

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