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电子元件与材料
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本刊报道国内外在电子元件、电子器件、电子材料领域所取得的有关基础理论、生产技术、应用开发等方面的最新科研成果，报道科学技术和行业发展的动态，介绍新产品和市场信息。本刊兼顾创新性、实用性、系统性和导向性，深受广大读者好评；一直被确认为无线电电子学类全国中文核心期刊；被CA和IEE INSPEC全文收录；系中国科学引文数据库来源期刊，系中国科技论文统计源期刊。
主办单位：
中国电子学会
中国电子元件行业协会
国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
期刊荣誉：
第二届国家期刊奖百种重点期刊（2003年）
ISSN：
1001-2028
CN：
51-1241/TN
出版周期：
月刊
邮编：
610051
地址：
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 介绍了我国电子级BaCO3的生产方法,包括碳化法、复分解法、转化法、Ba(OH)2法及BaCl2法.重点介绍了反应机理,工艺流程,研究进展,优缺点,主要厂家及其年产量.还述及其技术标准,主要...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 混合集成电路的两种金铝键合系统,有着不完全相同的两种退化模式.综述了相关的退化机理和控制方法的研究状况.金丝与芯片铝膜的Au/Al键合系统,是键合IMC、Kirkendall空洞导致其界面开...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 介绍了采用湿法印刷技术制作的新型抑制EMI滤波元件,即陶瓷板式阵列电容器的结构设计、制造工艺、研究现状及发展方向.该类元件主要用于滤波连接器,其特点是体积小、孔组排列密度高以及机械强度高,可...
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4. 综合信息刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2008年12期页码:摘要：
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 采用固相反应法制备了Ba(ZrxTi1-x)O3(x = 0～0.5)陶瓷,并以Fulcher的居里-外斯定律修正方程为依据,求出各样品的弛豫常数γ,以讨论组分对其介电弛豫特性的影响.结果表...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 以体积比为7:3的丁酮和无水乙醇为混合溶剂,聚乙烯醇缩丁醛(PVB)为粘结剂,邻苯二甲酸二丁酯为增塑剂,玉米油为分散剂配制了PNN-PZT陶瓷流延浆料.研究了浆料球磨时间、固相体积分数以及各...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 采用固相反应法制备了Ba1-xLix(Ti0.91Zr0.09)1-yMoyO3陶瓷,并研究了Li-Mo共掺杂对其相结构和介电性能的影响.结果表明:当x > 0,y = 0时,陶瓷为单一的四...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 采用SEM及EDS,观察和分析了PTC热敏陶瓷(PTCR)生产过程中,瓷体表面斑点的微观形貌及微区化学成分.结果表明:异常区域中,w(Pb)较正常区域高0.1%以上,该区域晶粒尺寸为10～2...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 利用共沉淀方法制备了Al掺杂SnO2材料.并通过XRD与R-t特性测试仪,研究其相结构与R-t特性.结果表明:600 ℃煅烧获得了高纯、四方相的Al掺杂SnO2,其晶粒度为9.8 nm;且具...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 以ZnCl2为原料,P123为形貌控制剂,采用水热合成技术制备了棒状氧化锌.通过XRD、SEM和TEM对其物相和形貌进行了分析,并测试了气敏性质.结果表明:重复利用滤液,得到的氧化锌形貌一致...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 在酸性介质中已经产生隧道孔的铝箔表面,继续在中性电解液中采取直流阳极溶解时,隧道孔密度及长度与二次侵蚀时电解质类别相关.在此基础上,通过二次侵蚀前铝箔表面的酸浸泡成膜处理,以及二次侵蚀过程中...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 采用化学聚合法合成了聚吡咯(PPy),并以此制作了固体铝电解电容器,研究了对硝基苯酚(p-NPh)的添加量对PPy的电导率及热稳定性的影响,以及与少量聚乙烯醇(PVA)复合后产物的性能变化....
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 采用分子自组装活化法在铝基板表面氧化铝上实施化学镀铜,镀层有很好的剥离强度,通过SEM、EDS和离子色谱对其进行了表征.研究了硅烷化时间与基体表面硅烷修饰量的关系,浸钯时间对基体表面钯含量的...
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14. 正交试验法研究片状银粉性能刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 采用正交试验法,分析了前驱体球状银粉的制备及球磨工艺对最终片状银粉性能的影响.经优选得出的工艺参数组合是:硝酸银初始质量浓度为60 g/L,水合联氨初始质量浓度为80 g/L,ζ(十二烷基硫...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 采用单线圈法,利用Agilent E4991A射频阻抗/材料分析仪,研究了退火温度对铁基纳米晶带材的高频磁导率的影响.结果表明:经550 ℃退火处理的30 μm厚样品磁导率实部,随频率增加而...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 以柠檬酸钠作为添加剂,采用水热法制备了Fe3O4纳米棒,用XRD、SEM、TEM、HRTEM和ED等手段,对样品进行了表征,并对Fe3O4纳米棒的形成机理进行了探讨.结果表明:所制备之Fe3...
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17. 图案化铜纳米线阵列的制备刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 采用紫外光刻法制得图案化的阳极氧化铝模板.在模板上蒸镀金膜后,采用电化学沉积法制备了铜纳米线,用扫描电子显微镜观察,研究了最佳电化学沉积时间.结果表明,铜纳米线阵列的图案与掩膜的图案完全一致...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 以OTA-C为基本模块,在其输入端加入一个电流信号,使输出电流受其控制,然后利用多端输出(MO)的OTA-C实现n阶通用电流模式滤波器的设计.该滤波器能实现低通、高通、带通、带阻和全通功能,...
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19. 硫掺杂纳米金刚石薄膜的图形化生长刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 利用电子增强热丝化学气相沉积(EACVD)技术,以CH4/H2/H2S/Ar为工作气体,SiO2/Si为衬底,制备了硫掺杂金刚石薄膜.研究了利用光刻技术实现薄膜的图形化生长.结果表明:以Si...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 在不同衬底温度下,用脉冲激光沉积法(PLD),在Al2O3(0001)平面上生长了ZnO薄膜.研究了衬底温度对其结晶质量、电学性质以及发光性质的影响.结果显示:XRD在2θ为34°处出现了唯...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 采用sol-gel法在 FTO/玻璃底电极上制备了BiFeO3 / Bi4Ti3O12多层薄膜.研究了室温下薄膜的结构,铁电和漏电流性质.结果表明,相对于纯的BiFeO3薄膜,BiFeO3 ...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 采用sol-gel法制作了28 nm厚的SrTiO3薄膜和Au/SrTiO3/LaNiO3/Si(100)三明治结构的器件,并研究其物理性能.结果显示:室温下,用直流电压可以使薄膜的电阻在高...
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刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2008年12期页码:摘要： 利用浸入聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)水溶液中的金属钛片为靶材,采用1 064 nm红外脉冲激光进行液相激光烧蚀制备了金红石型纳米TiO2.应用XRD、TEM、HRTEM和Raman对产物进行表...
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24. 《电子元件与材料》征稿简则刊名： 电子元件与材料发表期刊： 2008年12期页码:摘要：
电子元件与材料基本信息
| 刊名 | 电子元件与材料 | 主编 | 钟彩霞 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子学会 中国电子元件行业协会 国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司) | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1001-2028 | CN | 51-1241/TN |
| 邮编 | 610051 | 电子邮箱 | journalecm@163.com/zhubei5148@163.com |
| 电话 | 028-84391569 | 网址 | www.cnelecom.net |
| 地址 | 成都市一环路东二段8号宏明商厦702室 |
电子元件与材料评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 第二届国家期刊奖百种重点期刊（2003年） |
电子元件与材料统计分析
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