混合集成电路金铝键合退化与控制研究动态

• 作者: 何小琦 苏杜煌
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 混合集成电路 综述 Au/Al键合
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 5-7
• 页数: 3页
• 分类号: TN406
• 字数: 2574字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2008.12.002

摘要

混合集成电路的两种金铝键合系统,有着不完全相同的两种退化模式.综述了相关的退化机理和控制方法的研究状况.金丝与芯片铝膜的Au/Al键合系统,是键合IMC、Kirkendall空洞导致其界面开裂失效;铝丝与厚膜金导体的Al/Au键合系统,除了界面开裂外,还存在键合根部因铝原子向IMC过度迁移而形成铝丝内部空洞导致铝丝断裂.采用铜丝代替金丝,可有效控制Au/Al键合系统的退化;采用过渡垫片或在金浆料中加入少量Pd,同时减少金导体膜厚度,可有效控制铝丝Al/Au键合系统的退化.