电子元件与材料期刊
出版文献量(篇)
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电子元件与材料

Electronic Components & Materials

CACSCDJSTSACSTPCD

影响因子 0.4379
本刊报道国内外在电子元件、电子器件、电子材料领域所取得的有关基础理论、生产技术、应用开发等方面的最新科研成果,报道科学技术和行业发展的动态,介绍新产品和市场信息。本刊兼顾创新性、实用性、系统性和导向性,深受广大读者好评;一直被确认为无线电电子学类全国中文核心期刊;被CA和IEE INSPEC全文收录;系中国科学引文数据库来源期刊,系中国科技论文统计源期刊。
主办单位:
中国电子学会 中国电子元件行业协会 国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
期刊荣誉:
第二届国家期刊奖百种重点期刊(2003年)  
ISSN:
1001-2028
CN:
51-1241/TN
出版周期:
月刊
邮编:
610051
地址:
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
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  • 作者: 李安琪 杨平 杨柳 王域 王瑞林
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  1-3
    摘要: 采用传统固相法制备了(Ba0.9Ca0.1)1–xLax(Ti0.8Zr0.2)O3(0≤x≤0.005)系列无铅陶瓷,并研究了微量La取代对锆钛酸钡钙陶瓷微观结构及介电性能的影响。X射线衍...
  • 作者: 曹志学 李少奎 李水艳 黄俭帮
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  4-6
    摘要: 单层片式瓷介电容器产业化对制备该系列产品所需的陶瓷介质基片提出了很高的质量要求,要求陶瓷介质基片(长度×宽度×厚度=(25~50)mm×(25~50)mm×(0.1~0.3)mm)厚度均匀(...
  • 作者: 张一兵 李素云
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  7-10
    摘要: 采用水热法制备了铁掺杂的TiO 2纳米粉体,通过X射线衍射(XRD)和傅立叶交换红外光谱(FT-IR)对样品进行表征。以甲基红模拟废水的降解率考察自制的铁掺杂TiO 2纳米粉体的光催化活性。...
  • 作者: 史玉龙 张玲洁 杨芳儿 沈淑康 郑晓华
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  11-14
    摘要: 采用水基溶胶-凝胶法合成了锑掺杂二氧化锡(ATO)粉体。采用X射线衍射(XRD)、能谱仪(EDS)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)以及X射线光电子谱(XPS)对粉体进行了表征,探讨了...
  • 作者: 刘心宇 叶凡 石康 陈国华
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  15-19
    摘要: 采用高温熔融和水淬的工艺制备以Bi 2 O 3-SiO 2-B 2 O 3-ZnO为基体,添加金属氧化物(Al 2 O 3、BaO、ZrO 2、Sb2O3)为辅助原料的无铅玻璃样品。采用X射...
  • 作者: 刘亭亭
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  20-24
    摘要: 采用简便的脉冲电沉积方法一步合成了呈现层-层分布的三维立体结构的PANI/MnO 2/石墨烯三元复合材料,利用XRD和FT-IR等研究了复合物的结构和组成,SEM和TEM表征了复合物的形貌。...
  • 作者: 吕佩伟 施洋 翁卫祥 马靖
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  25-28
    摘要: 利用磁控溅射法在BK-7玻璃基片上制备了ZnO-Cu2O薄膜异质结。利用X射线衍射、分光光度计和范德堡方法分析了不同氧气流量对 Cu2O 单层薄膜的结构、光学和电学性质的影响,并分析了不同氧...
  • 作者:
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  28-28
    摘要:
  • 作者: 丁桂甫 张丛春 谢意达 赵小林 陈明明 高杨
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  29-34
    摘要: 通过微波软件建模和理论分析方法来分析BST铁电薄膜材料在微波集成电路中的应用,旨在指导器件设计。借助microwave office和Ansoft HFSS&Q3D两个商业软件,构造微带传输...
  • 作者: 廖杨芳 梁枫 肖清泉 谢泉
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  35-38
    摘要: 采用直流磁控溅射加负偏压方法和退火工艺制备了Mg 2 Si半导体薄膜,研究了不同负偏压对Mg膜的沉积速率、Mg 2 Si薄膜结构以及电阻率的影响。结果表明,随着负偏压的增大,因压实膜层和二次...
  • 作者: 刘超 王飞 陈翌庆 马其林
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  39-43
    摘要: 有机无机卤化钙钛矿太阳能电池中钙钛矿吸收层对外界的湿度非常敏感,所以目前绝大多数钙钛矿太阳能电池的制备、封装都是在手套箱中完成的。从便于工业规模化角度,在全空气环境下,采用气相辅助溶液法制备...
  • 作者: 孙小华 汪佳丽 郑琳杰 陈琳琳 鲍潮
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  44-49
    摘要: 不同温度下通过两步水热法在氟掺杂氧化锡导电玻璃上制备了钴镍双金属硫化物对电极。并通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、循环伏安测试(CV)、电化学阻...
  • 作者: 拜颖乾 李伟 毛红梅 郭军
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  50-53
    摘要: 基于气-液-固生长机理和原位掺杂技术,成功制备了2%(质量分数)Sb掺杂SnO 2纳米线,所制器件可以在低压环境下工作且不受栅漏电的影响;将该纳米线作为场效应晶体管的沟道,分析了不同比例的S...
  • 作者: 冯团辉 杨飞
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  54-57
    摘要: 利用在共面波导传输线上加载电容电感实现了单负材料,对由电单负材料和磁单负材料组成的异质结中电磁波的传播特性进行了研究。结果表明:由于电磁波能够在由两种单负材料组成的异质结中发生隧穿,利用基于...
  • 作者: 戴永胜 李博文
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  58-60
    摘要: 提出了一种基于LTCC技术的UHF波段宽带集总Wilkinson功率分配器。该功分器由LC结构组合而成,根据奇偶模阻抗理论,这样的结构可实现更高的隔离度。采用了螺旋电感结构来实现功分器的小型...
  • 作者: 何小莲 宋树祥
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  61-65
    摘要: 基于TSMC 180 nm工艺库,设计了一款低电压高线性度的电流差分跨导放大器(CDTA,在电路的设计中采用了具有自适应尾电流源偏置结构来提高其线性度。利用Cadence和Spectre软件...
  • 作者: 于慧娟
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  66-69
    摘要: 设计了一个圆口径串并联混合馈电的毫米波微带天线阵列。该天线采用矩形微带工字型缝隙贴片耦合馈电的方法展宽带宽。为了有效利用天线口径面积,减小网络复杂度,选取串联微带天线阵列形式。同时为了展宽带...
  • 作者: 朱莉娅 郑梅 陈仁文
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  70-75
    摘要: 在压电能量收集接口电路中,并联开关同步电感电路在开关断开后电感上所剩余磁能并未得到有效利用。为了克服上述问题,提出一种改进的并联同步开关电感电路,以倍压整流电路取代并联同步开关电感电路中的全...
  • 作者: 潘中良 管祥生 郝毫保 陈洁坤
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  76-79
    摘要: 印制电路板(PCB)在自然状态下散热的途径主要为板的厚度方向和板平面。基于热原理,提出一种PCB埋铜翅片的散热方式。通过分析PCB的导热系数及PCB垂直和水平方向的热阻,建立一种合理的散热分...
  • 作者: 张元祥 张继成 梁利华 胡楠 许杨剑
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  80-83
    摘要: 基于细观损伤力学本构模型思想,考虑微孔洞演化效应,对微电子封装中的Sn3.0Ag0.5Cu材料特性和焊点服役时的损伤失效机理进行研究。基于实验数据研究并结合拟合方法确定了Gurson-Tve...
  • 作者: 左勇 田雨 郭福 马立民
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  84-88
    摘要: 以Sn-0.3Ag-0.7Cu(SAC0307)低银无铅钎料焊点为研究对象,在焊点凝固过程中施加2.3T匀强磁场,通过观察低银无铅焊点显微组织变化,揭示磁场对焊点凝固及固态扩散行为影响;利用...
  • 作者: 张维海 杨道国 蔡苗
    发表期刊: 2016年4期
    页码:  89-93
    摘要: 针对环氧模塑化合物(EMC)与铜的界面沿特定路径的准静态界面裂纹扩展问题,利用ANSYS建模仿真了单个位移及循环位移载荷条件下界面裂纹扩展;以界面裂纹扩展的J积分为分析目标,分别在铜材料为线...

电子元件与材料基本信息

刊名 电子元件与材料 主编 钟彩霞
曾用名
主办单位 中国电子学会 中国电子元件行业协会 国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1001-2028 CN 51-1241/TN
邮编 610051 电子邮箱 journalecm@163.com/zhubei5148@163.com
电话 028-84391569 网址 www.cnelecom.net
地址 成都市一环路东二段8号宏明商厦702室

电子元件与材料评价信息

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