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微电子学2006年出版文献
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
微电子学
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本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊
信息产业部优秀电子科技期刊
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
3955
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 基于TSMC 0.25 μm工艺、采用电流开关结构,设计了一个3.3 V 12位400 M采样率的D/A转换器.在电路中,设计了一种新的电压限幅结构,从而使其具有较好的动态性能.该D/A转换...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 针对A/D转换器中广泛使用的Flash单元,设计了一组由全差分预放大器、动态比较器和D触发器组成的电路.对电路的抗翻转噪声能力进行了分析和仿真,指出,通过改进全差分预放大器的共模反馈电路,有...
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123. LPCVD多晶硅薄膜缺陷的形成及消除措施刊名： 微电子学发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 描述了LPCVD多晶硅的常见缺陷及其分类.对缺陷产生的原因进行了分析,找出工艺设置和工艺操作过程容易出现的问题;并针对各类缺陷,提出了相应的解决措施,以达到完全消除缺陷,使工艺技术水平得到提...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 介绍了一个基于0.35 μm CMOS 6层金属工艺,采用片外阻抗匹配网络的两级AB类功率预放大器.电路在3.3 V电源电压下工作,静态电流为18 mA.测得功率预放大器的功率增益为10 d...
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125. 一种PIN开关高速驱动器的设计刊名： 微电子学发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 介绍了一种用于驱动PIN开关的高速驱动器的设计.该电路的传输延时为5 ns,工作电压范围±5～±12 V.文章详细介绍了高速驱动器加速电路和偏置电路的设计方法,分析了影响高速驱动器传输速度和...
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126. 一种新型的指数曲率补偿带隙基准源刊名： 微电子学发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 提出了一种新型的指数曲率补偿带隙基准源电路.该电路简单实用,相比一阶补偿带隙基准源,只需增加两只二极管和一只双极晶体管用于指数曲率补偿.运用0.6 μm的BiCMOS工艺模型仿真,在0～70...
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127. 一种用于低压降稳压器频率补偿的压控电流源刊名： 微电子学发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 利用小信号压控电流源(VCCS)电路产生所需零点,是一种先进的低压降稳压器(LDO)频率补偿方法.文章分析了VCCS频率补偿方法的原理和VCCS电路对LDO的瞬态响应及电源抑制(PSR)特性...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 采用单层多晶6层金属(1P6M)的0.18 μm标准CMOS工艺,设计了一个2.4 GHz电感电容压控振荡器(LC tank VCO).该压控振荡器的电路结构选用互补交叉耦合型.测试结果表明...
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129. 一种低功耗SoC设计中的时钟隔离技术刊名： 微电子学发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 在一些复杂的SoC中,往往要使用嵌入式存储器,而双边访问的嵌入式存储器(DARAM)常用于许多低功耗的场合.这样,用时钟的双边沿来控制存储器的读写数据是不可避免的.这种时钟用作数据(cloc...
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130. 一个嵌入式多媒体应用平台的设计与实现刊名： 微电子学发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 提出了一个嵌入式多媒体应用平台,并详细介绍了它的设计与实现.该平台是一个基于MIPS架构的标量RISC,具有哈佛结构,5级流水线,虚拟内存管理,以及增强的多媒体处理能力.其最大特点是一个支持...
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131. 一种高性能DC-DC升压变换器的设计刊名： 微电子学发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 设计了一种内部集成控制电路和DMOS功率开关管的单片集成电流型PWM升压变换器.该芯片的开关频率为1.6 MHz,采用1.5 μm BCD工艺实现,具有很宽的输入电压范围(2.7～14 V)...
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132. 一种智能化漏电保护芯片的设计刊名： 微电子学发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 提出了一种智能化漏电保护芯片.电路基于0.6 μm CMOS工艺、采用数模混合信号设计,并用全定制的方法实现.与现有模拟漏电保护芯片相比,该芯片具有较高的智能化:对输入信号是否有效进行辨识,...
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133. 一种产生正负倍压的电荷泵的优化设计刊名： 微电子学发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 通过对传统的电荷泵进行结构改进和参数优化,得到了一种高效率、低功耗的电荷泵,并阐述了电荷泵的工作原理,分析了影响功耗和效率的因素.该电荷泵通过检测输出电压来控制泵压,大大降低了功耗;同时,再...
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134. XRF在外壳镀层厚度测试中的正确应用刊名： 微电子学发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 介绍了在外壳检验中,应用X射线荧光光谱法(XRF),对外壳的镀涂层厚度进行测试;探讨了金属外壳镀镍涂层厚度的测试方法;论述了应用X射线荧光光谱法正确测量外壳镀层的方法.
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135. 便携式温场测量仪的设计与实现刊名： 微电子学发表期刊： 2006年4期页码:摘要： 温场测量是应用非常广泛的物理量测量方法.文章介绍了一种测量精度比较高的温场测量仪器的硬件设计和软件实现.阐述了温度从采集到测量、处理的各个环节;分析了影响仪器测量精度的各种因素,介绍了从软硬...
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136. SiGe BiCMOS技术发展现状刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 以通讯领域的需求和技术发展为背景,介绍了SiGe HBT器件以及SiGe BiCMOS技术的发展历程.总结了SiGe HBT器件在器件结构和工艺步骤上的共同点.以IBM公司0.5μm SiG...
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137. 微波功率SiGe HBT研究进展刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： Si的热导率比大部分化合物半导体(如GaAs)的热导率高,SiGe HBT在一个较宽的温度范围内稳定,SiGe HBT的发射结电压VBE的温度系数dVBE/dT比Si的小,双异质结SiGe ...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 经过二十年的发展,SiGe HBT技术已经广泛应用于微波/射频通讯领域.它的快速发展首先得益于外延技术的提高,其次是它与硅工艺完全兼容,特别是与CMOS工艺兼容的特性,以及微波/射频通讯市场...
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139. SiGe HBT噪声的研究进展刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 噪声对RF电路设计非常关键,故需要对SiGe HBT噪声特性进行深入研究.根据器件的高频噪声模型,指出了影响SiGe HBT高频噪声参数的主要因素,论述了优化设计的具体方法;举例说明尺寸缩小...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 简要介绍了一种用于接收机前端的宽带低噪声放大器(LNA).该微波单片集成电路(MMIC)蔡用0.35 μm SiGe工艺实现,且不需要外部阻抗匹配元件,并利用两级级联拓扑结构实现频带内的低噪...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 采用MBE差分外延生长SiGe HBT基区,等平面隔离,多晶硅注入、快速退火形成发射区等工艺,实现了SiGe器件的平面集成.基于上述工艺技术研制的SiGe低噪声放大器(LNA),获得了1.7...
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142. 一种SiGe低噪声放大器测试基座的研究刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 对SiGe低噪声放大器(LNA)的测试技术进行了探索,开发出适合SiGe低噪声放大器的可插拔测试基座.通过对商业样品的增益G(S21)、增益平坦度、带宽、回波损耗(S11和S22)、反向隔离...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 研制了一种平面集成多晶发射极SiGe HBT.经测量,在室温下电流增益β大于1 500,最大达到2 800,其Vceo为5 V,厄利(Early)电压VA大于10 V,βVA乘积达到15 0...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 基于窄带低噪声放大器理论,设计了一种2.4 GHz,具有低功耗、低噪声和良好匹配性等优点的新型BiFET结构SiGe BiCMOS低噪声放大器.采用TSMC 0.35 μm SiGe BiC...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 设计了一个用于TD-SCDMA的锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)功率放大器.该放大器使用3.3 V电源,内部实现了包括级间匹配网络等的全电路片上集成.对于码分多址环境,功率放大器提供...
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146. 一种低噪声SiGe微波单片放大电路刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 介绍了一种利用SiGe技术制作的低噪声SiGe微波单片放大电路(MMIC).该电路以达林顿结构的形式级联,由两个异质结双极型晶体管(HBT)和4个电阻组成;HBT采用准自对准结构,其SiGe...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 利用自洽迭代数值计算方法,对多发射极微波功率SiGe HBT芯片热电耦合特性进行了模拟和分析.结果表明,通过对晶体管发射极条长、条间距的调整,可以有效地改善芯片温度分布的不均匀性,提高晶体管...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 基于非选择性外延,自对准注入技术,集电区选择性注入和快速热退火工艺,提出了一种适用于1.5μm BiCMOS集成技术的SiGe HBT器件结构.该结构具有内基区薄,外基区厚,B/E结两侧杂质...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 从实验上研究了版图尺寸对Si/SiGe HBT高频噪声特性的影响.结果表明,在现有工艺条件下,减少外基区电阻(即减少发射极与基区间距),对降低高频噪声很显著.增加基极条数、增加条长也可减少基...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 欧拉电压是SiGe HBT一项重要的直流参数,受到基区结构(如Ge组分)的影响.研究发现,高温过程会导致硼的外扩散,从而影响异质结的位置,使欧拉电压受到影响.实验发现,通过优化基区结构,加厚...
微电子学基本信息
| 刊名 | 微电子学 | 主编 | 武俊齐 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 四川固体电路研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1004-3365 | CN | 50-1090/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | wdzx@sisc.com.cn |
| 电话 | 023-62834360 | 网址 | wdzx.sisc.com.cn |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号24所 |
微电子学评价信息
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| 3. | 文摘杂志(俄) |
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期刊荣誉
| 1. | 中文核心期刊 |
| 2. | 信息产业部优秀电子科技期刊 |
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