SiGe HBT噪声的研究进展

• 作者: 周谦 李竞春 杨洪东 杨谟华
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe HBT 1/f噪声 相位噪声 转角频率 噪声系数
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: SiGe技术专题
• 页码范围: 559-564
• 页数: 6页
• 分类号: TN322+.8
• 字数: 4604字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2006.05.005

摘要

噪声对RF电路设计非常关键,故需要对SiGe HBT噪声特性进行深入研究.根据器件的高频噪声模型,指出了影响SiGe HBT高频噪声参数的主要因素,论述了优化设计的具体方法;举例说明尺寸缩小使得高频噪声性能已经达到了GaAs pHEMT的水平,fT达到了375 GHz.分析了SiGe HBT低频噪声的机理和模型及其与几何尺寸的关系,指出用fc/fT表达低频噪声性能更合适;举例说明小尺寸效应使得SiGe HBT的低频噪声偏离了1/f噪声形式.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨谟华	电子科技大学电子薄膜集成器件国家重点实验室	58	278	8.0	11.0
2	李竞春	电子科技大学电子薄膜集成器件国家重点实验室	26	81	5.0	6.0
3	杨洪东	电子科技大学电子薄膜集成器件国家重点实验室	8	20	3.0	4.0
4	周谦	电子科技大学电子薄膜集成器件国家重点实验室	6	12	2.0	3.0