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微电子学2006年第3期出版文献
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
微电子学
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本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊
信息产业部优秀电子科技期刊
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 为了应对SoC研发的机遇、困难和高昂花费,寻求对目标应用领域的最佳支持与广泛适用性之间的恰当平衡已成为目前电子系统设计的中心课题.通过一个从基于3G终端到网络多媒体播放器应用的架构扩展实例,...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 对硅片直接键合/绝缘体上硅(SDB/SOI)双极电路的退化机理进行了描述.在基极-发射极反向偏置的条件下,研究了应力作用时间与器件参数的退化关系.实验结果表明,电流放大倍数β与退化时间的平方...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 介绍了一种用于802.11b无线局域网的高线性度射频前端发送器的设计与实现.该发送器采用直接转换结构,从而最大程度地减小了所需的片外和片上元件.电路采用0.18 μm CMOS工艺实现.发送...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 介绍了一种用于低电压CMOS模拟集成电路设计的阈值调节思想.利用该思想,在0.35 μm 标准CMOS工艺条件下,设计出电源电压仅为1 V的套筒结构集成运算放大器(Telescopic OP...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 提出了利用理想第二代电流控制传输器(CCC II)模拟电感特性的结构.分析了基于CCC II模拟电感的理想电感效应有效范围、主要寄生电容电阻的影响及其补偿方法,给出了模拟电感特性仿真结果.在...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 针对媒体系统芯片的不同仿真和验证要求,提出了一种基于FPGA平台的媒体系统芯片验证框架.采用层次化的方法设计软件平台,实现了软件平台的可配置性;采用面向多媒体处理的改进总线结构,实现了硬件平...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 从器件I-V特性的角度,表征了射频功率异质结双极晶体管(HBT)的自加热效应.研究了器件热阻、工作电压、电流增益、发射结价带不连续性(ΔEV)等诸多因素对器件I-V特性的影响.进而研究了为补...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年3期页码:摘要： FPGA在许多领域已经得到广泛应用,其测试问题也显得越来越突出.文章针对基于SRAM结构FPGA的特点,以Xilinx公司的XC4000系列芯片为例,利用检测可编程逻辑资源的多逻辑单元(CL...
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9. C掺杂SiGe HBT刊名： 微电子学发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 硼的瞬时增强扩散(TED)所造成的外扩散将对双极晶体管的性能产生不利影响.在HBT的SiGe区加入C(<1020cm-3),能够抑制掺杂硼的外扩散.文章讨论了C掺杂的SiGe∶C HBT在性...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 利用CSMC 0.6 μm CMOS工艺,设计了基于片上DC-DC转换器的光接收机前置放大器.电路采用可调跨阻放大器与片上DC-DC结构,有效地克服了单端跨阻放大器易受电源波动的干扰,并解决...
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11. 一种离散频率的PFM控制方式刊名： 微电子学发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 设计了一种离散频率的PFM控制方式.这种控制方式提供两个离散的工作频率,通过检测负载的变化,使电路在两个频率之间切换,从而实现PFM控制.这种控制方式简单、易于实现,轻负载时效率高,频谱分布...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 从中小屏幕TFT-LCD的显示和驱动原理出发,设计了一种用于TFT-LCD驱动IC的内置电源产生模块.该模块为芯片中各个数字和模拟子系统提供基准电压、偏置电压、工作电压和TFT-LCD的驱动...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 为了集成电路的可靠性保证,往往需要对集成电路外壳进行验收.验收项目中,有一个耐湿试验分组,用来加速评定外壳的抗腐蚀性能及相应的质量可靠性能.在该试验分组中发现,陶瓷外壳失效除了已有的常规模式...
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14. BCD集成电路技术的研究与进展刊名： 微电子学发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 飞速增长的单芯片智能功率集成电路(SPIC)市场,极大地推动了BCD工艺的发展.文章简要论述了BCD集成电路技术给智能功率IC带来的优势,介绍了当今世界知名功率IC厂商的BCD集成电路技术....
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,重点分析了在模拟集成电路设计中较为流行的几种模型:BSIM3、EKV和SP2001模型,对其各自的优缺点进行了比较.结果...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 介绍了一种采用0.35 μm BiCMOS工艺的双路双差分采样保持电路.该电路分辨率为8位,采样率达到250 MSPS.该电路新颖的特点为利用交替工作方式,降低了电路对速度的要求.经过电路模...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 给出了一种基于开关电容(SC)电路的10位80 MHz采样频率低功耗采样保持电路.它是为一个10位80 MS/s 流水线结构A/D转换器的前端采样模块设计的.在TSMC 0.25 μm CM...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 通过理论分析和实验仿真,提出了一种流水型高速采样保持器电路(S/H).采用4个采样率为10 MSPS的S/H,构成一个流水型电路结构的S/H,采样率达到40 MSPS.文章提出的电路结构,在...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 介绍了一种10位CMOS 逐次逼近型A/D转换器.在25 kSPS采样频率以下,根据模拟输入端输入的0～10 V模拟信号,通过逐次逼近逻辑,将其转化为10位无极性数字码.转换器的SAR寄存器...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 讨论了一种用于Σ-Δ A/D转换器的固定系数半带(half-band)FIR数字滤波器,分析了其线性相位特性和低通滤波特性,给出了频率仿真结果,以及在Cadence设计系统中的电路和版图实现...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 提出了一种基于Montgomery算法的模乘器.与现有结构相比,由于采用了多级流水线的乘法器结构,提高了系统的时钟频率;并通过引入预计算单元,解决了流水线停顿的问题,提高了系统的并行性,减少...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 为适应低压低功耗应用的需要,提出了一种高性能低压差(LDO)线性稳压器.通过改进稳压器的电路结构和版图设计,引入高精度电路微调技术和完善的过热、过流和过压保护功能,稳压器性能得到了明显的改善...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 提出了一种新的两级运放结构,可以消除由密勒补偿电容引起的右半平面零点.该结构采用多路径零点取消(MZC)的理论,不同于传统的方式,该结构直接利用了第二级的负载管,来引入前馈通路取消右半平面零...
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24. 一种低功耗调频发射电路刊名： 微电子学发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 简要介绍了一种低功耗调频发射电路的基本原理、电路结构、典型应用,以及电路的工艺制作.通过样品测试,验证理论分析,并提出了改进方案.该电路集成了话筒放大器、参考电压、可变电抗、射频振荡器、缓冲...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 介绍了一种超高速、低功耗÷8静态分频器.该电路采用0.35 μm BiCMOS工艺制作,晶体管fT 达21 GHz(Vce ＝1 V).该分频器在-5 V电源电压下功耗为52.5 mW,最高...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 介绍了一个多模分频器的设计.为了提高工作速度,采用吞脉冲(pulse-swallow)结构,并且两个计数器均采用改进的检测与置数逻辑;但经过分析,发现在吞脉冲结构下,采用该改进逻辑会存在时序...
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27. 一种低相位噪声2N分频器的设计刊名： 微电子学发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 介绍了一种低相位噪声2N分频器的设计.该电路采用0.35 μm BiCMOS SiGe工艺制作.1 kHz频偏下的相位噪声为-150 dBc/Hz,大大低于传统的分频器;在-55～125 ℃...
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28. 电荷泵电路功耗优化设计及改进刊名： 微电子学发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 通过简单的解析模型,提出了电荷泵电路功耗最小化的设计原则.利用这一原则,可以由输入和输出电压确定升压级数,使转换效率最大化.根据所需的输出电流,确定充电电容的值.通过对传统电荷泵电路的改进,...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 设计了一种应用于集成稳压器的新型误差放大电路,其核心部分采用对称性的差分运算跨导(OTA)结构;通过嵌套密勒补偿和动态零点频率补偿技术,显著改善了其性能指标;采用Hynix 0.5 μm C...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年3期页码:摘要： 在分析传统带隙基准结构的基础上,根据当前集成电路设计中对基准电源的低压、低功耗、高电源抑制比的要求,设计了一种结构比较新颖的基准电压源电路.该电路工作在电流模式,带有启动电路和电流补偿电路,...
微电子学基本信息
| 刊名 | 微电子学 | 主编 | 武俊齐 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 四川固体电路研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1004-3365 | CN | 50-1090/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | wdzx@sisc.com.cn |
| 电话 | 023-62834360 | 网址 | wdzx.sisc.com.cn |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号24所 |
微电子学评价信息
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| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 文摘杂志(俄) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中文核心期刊 |
| 2. | 信息产业部优秀电子科技期刊 |
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