BCD集成电路技术的研究与进展

• 作者: 朱海刚 杨银堂
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: BCD 智能功率集成电路 DMOS 射频集成电路 SOI
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 315-319
• 页数: 5页
• 分类号: TN405
• 字数: 5339字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2006.03.016

摘要

飞速增长的单芯片智能功率集成电路(SPIC)市场,极大地推动了BCD工艺的发展.文章简要论述了BCD集成电路技术给智能功率IC带来的优势,介绍了当今世界知名功率IC厂商的BCD集成电路技术.根据不同的应用,介绍了高压BCD、高功率BCD、VLSI-BCD、RF-BCD和SOI-BCD等五类工艺的特点及各自的发展标准;讨论了BCD技术的总体发展趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子研究所	420	2932	23.0	32.0
2	朱海刚	西安电子科技大学微电子研究所	1	60	1.0	1.0