SDB/SOI双极器件失效机理与可靠性评价技术研究

• 作者: 叶兴跃 张鹏 恩云飞 章晓文
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: SDB/SOI 双极器件 失效机理 可靠性
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 269-271
• 页数: 3页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2365字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2006.03.004

摘要

对硅片直接键合/绝缘体上硅(SDB/SOI)双极电路的退化机理进行了描述.在基极-发射极反向偏置的条件下,研究了应力作用时间与器件参数的退化关系.实验结果表明,电流放大倍数β与退化时间的平方根呈线性关系;不同的反向偏压下,退化的速度也不同.建立了器件的退化模型,对双极器件在使用条件下的可靠性进行了分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张鹏	华南理工大学物理科学与技术学院	87	742	15.0	22.0
2	叶兴跃		1	0	0.0	0.0