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微电子学2006年第5期出版文献
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
微电子学
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本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊
信息产业部优秀电子科技期刊
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 以通讯领域的需求和技术发展为背景,介绍了SiGe HBT器件以及SiGe BiCMOS技术的发展历程.总结了SiGe HBT器件在器件结构和工艺步骤上的共同点.以IBM公司0.5μm SiG...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： Si的热导率比大部分化合物半导体(如GaAs)的热导率高,SiGe HBT在一个较宽的温度范围内稳定,SiGe HBT的发射结电压VBE的温度系数dVBE/dT比Si的小,双异质结SiGe ...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 经过二十年的发展,SiGe HBT技术已经广泛应用于微波/射频通讯领域.它的快速发展首先得益于外延技术的提高,其次是它与硅工艺完全兼容,特别是与CMOS工艺兼容的特性,以及微波/射频通讯市场...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 简要介绍了一种用于接收机前端的宽带低噪声放大器(LNA).该微波单片集成电路(MMIC)蔡用0.35 μm SiGe工艺实现,且不需要外部阻抗匹配元件,并利用两级级联拓扑结构实现频带内的低噪...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 采用MBE差分外延生长SiGe HBT基区,等平面隔离,多晶硅注入、快速退火形成发射区等工艺,实现了SiGe器件的平面集成.基于上述工艺技术研制的SiGe低噪声放大器(LNA),获得了1.7...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 对SiGe低噪声放大器(LNA)的测试技术进行了探索,开发出适合SiGe低噪声放大器的可插拔测试基座.通过对商业样品的增益G(S21)、增益平坦度、带宽、回波损耗(S11和S22)、反向隔离...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 研制了一种平面集成多晶发射极SiGe HBT.经测量,在室温下电流增益β大于1 500,最大达到2 800,其Vceo为5 V,厄利(Early)电压VA大于10 V,βVA乘积达到15 0...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 基于窄带低噪声放大器理论,设计了一种2.4 GHz,具有低功耗、低噪声和良好匹配性等优点的新型BiFET结构SiGe BiCMOS低噪声放大器.采用TSMC 0.35 μm SiGe BiC...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 设计了一个用于TD-SCDMA的锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)功率放大器.该放大器使用3.3 V电源,内部实现了包括级间匹配网络等的全电路片上集成.对于码分多址环境,功率放大器提供...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 介绍了一种利用SiGe技术制作的低噪声SiGe微波单片放大电路(MMIC).该电路以达林顿结构的形式级联,由两个异质结双极型晶体管(HBT)和4个电阻组成;HBT采用准自对准结构,其SiGe...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 基于非选择性外延,自对准注入技术,集电区选择性注入和快速热退火工艺,提出了一种适用于1.5μm BiCMOS集成技术的SiGe HBT器件结构.该结构具有内基区薄,外基区厚,B/E结两侧杂质...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 从实验上研究了版图尺寸对Si/SiGe HBT高频噪声特性的影响.结果表明,在现有工艺条件下,减少外基区电阻(即减少发射极与基区间距),对降低高频噪声很显著.增加基极条数、增加条长也可减少基...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 欧拉电压是SiGe HBT一项重要的直流参数,受到基区结构(如Ge组分)的影响.研究发现,高温过程会导致硼的外扩散,从而影响异质结的位置,使欧拉电压受到影响.实验发现,通过优化基区结构,加厚...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 基于SiGe HBT异质结势垒效应(HBE)产生的物理机制,综合考虑Ge引入集电区和大电流下电流感应基区中少子浓度对空穴浓度的影响,建立了异质结势垒高度解析模型.结果表明,将Ge引入集电区可...
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15. SiGe HBT基区渡越时间研究刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 对基于SiGe HBT基区本征载流子浓度和电子迁移率依赖于掺杂、基区Ge组分分布和速度饱和效应的基区渡越时间进行了研究.结果表明,相同Ge组分条件下,基区渡越时间τb随WB由100 nm减薄...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 测量了Si/SiGe HBT在23～260℃温度范围内的Gummel图、理想因子n、不同基极电流下的发射结电压VBE、电流增益β、共发射极输出特性,以及Early电压VA的变化情况.结果表明...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 对自行研制的超高真空化学气相外延设备(RHT/UHV/CVD SGE500)的气路系统进行了改进,使之能够生长出较好的Ge分布图形.利用X射线双晶衍射(DCXRD)和二次离子质谱(SIMS)...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 通过求解玻尔兹曼能量平衡方程,得出基区的电子温度分布,建立了考虑电子温度变化,适用于超薄基区SiGe HBT的基区渡越时间模型.该模型考虑了电子温度对迁移率的影响,基区重掺杂和Ge引起的禁带...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 运用一种全量子模型,研究高k栅介质纳米MOSFET(场效应管)栅电流,特别适用于各种材料高k栅介质和高k叠栅介质纳米MOSFET.使用该方法,研究了高k栅介质中氮含量等元素对栅极电流的影响,...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 文章从分析量子力学效应对纳米级MOS器件的影响出发,采用顺序隧穿理论和巴丁传输哈密顿方法,建立了纳米级MOS器件直接隧穿栅电流的计算模型.通过和实验数据的比较,证明了该模型的有效性.计算结果...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： SW-Log-MAP译码算法在传统Turbo译码算法Log-MAP的基础上进行了改进,在保证译码性能的前提下,大大降低其运算复杂度,并将滑动窗的方法应用于译码模块,大大减少了存储空间;并且,...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 在简单分析SOVA译码算法的基础上,对SOVA子译码器IP核的设计进行了整体分析;从硬件实现的角度,对译码算法的特征进行了理论分析,得到了对称状态节点的软信息具有确定关联的结论;并据此优化了...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 设计了一种3.3 V 9位50 MS/s CMOS流水线A/D转换器.该A/D转换器电路采用1.5位/级,8级流水线结构.相邻级交替工作,各级产生的数据汇总至数字纠错电路,经数字纠错电路输出...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 介绍了一种改进型的超高速、低功耗双模预置分频器(÷64/65、÷128/129).该预置分频器采用0.35μm BiCMOS工艺制作,在3.5 V电源电压下最高工作频率达5 GHz,电源电流...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 介绍了应用于第三代移动通信TD-SCDMA标准的移动终端射频模块的设计和实验测试结果.该射频模块具有结构紧凑、体积小、功耗低、兼容性强、易于与基带电路接口等优点.测试结果表明,其各项指标完全...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 结合脉冲宽度调制(PWM)和脉冲频率调制(PFM)功率损耗特点,提出了一种降压型PWM/PFM混合控制DC-DC变换器芯片的电路结构,大大提高了全负载范围转换效率.重点讨论了混合控制策略和P...
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27. 低功耗CMOS低噪声放大器的设计刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 针对低功耗电路设计的需求,提出了一种低功耗约束下CMOS低噪声放大器的设计方法,并与传统的设计方法进行了对比.模拟结果表明,按照该方法基于0.18 μm CMOS工艺设计的工作于1.58 G...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 提出了一种基于分段查找表的高速FIR滤波器的实现结构,该结构可应用于任意阶数的高速FIR滤波器设计中.采用分段查找表代替传统的乘法器、在加法输出级中插入流水线,以提高滤波器的工作速度;同时,...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 提出了一种基于片上微处理器和透明路径测试访问的SOC自测试方案.以片上微处理器为测试加载和响应收集比较的主体,构造透明路径并行传输测试数据,以嵌入程序控制测试过程.可以在提高测试速度的同时,...
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30. 超宽带CMOS低噪声放大器的设计刊名： 微电子学发表期刊： 2006年5期页码:摘要： 设计了一种应用于3.1～5.2 GHz频段超宽带系统接收机的差分低噪声放大器,采用前置切比雪夫(Chebyshev)2阶LC ladder带通滤波器的并联负反馈结构,详细分析了其输入宽带阻抗...
微电子学基本信息
| 刊名 | 微电子学 | 主编 | 武俊齐 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 四川固体电路研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1004-3365 | CN | 50-1090/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | wdzx@sisc.com.cn |
| 电话 | 023-62834360 | 网址 | wdzx.sisc.com.cn |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号24所 |
微电子学评价信息
该刊被以下数据库收录
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| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 文摘杂志(俄) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中文核心期刊 |
| 2. | 信息产业部优秀电子科技期刊 |
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