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微电子学2012年第3期出版文献
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
微电子学
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本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊
信息产业部优秀电子科技期刊
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 介绍了基于0.35 μm BiCMOS工艺的8位高速A/D转换器,采用独特的折叠和内插结构,在大大降低成本、功耗的同时,既能保证超高转换速率,又能达到较高的静态和动态指标.在采样率1 GS/...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 实现了一种14位40 MS/s CMOS流水线A/D转换器(ADC).在1.8V电源电压下,该ADC功耗仅为100mW.基于无采样/保持放大器前端电路和双转换MDAC技术,实现了低功耗设计,...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 实现了一种适用于信号检测的低功耗∑-△调制器.调制器采用2阶3位量化器结构,并使用数据加权平均算法降低多位DAC产生的非线性.调制器采用TSMC 0.18 μm混合信号CMOS工艺实现.该调...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 针对带数字校准功能的逐次逼近模/数转换器(SAR ADC),提出将主DAC、校准DAC和基准电压产生电路的电阻串进行复用,从而显著减少了芯片面积,降低了功耗.相比6+6两段电容结构DAC,采...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种低电压、低功耗跨导运算放大器.基于BSIM3V3.1 Spice模型,采用Hspice对整个电路进行仿真.在±0.75 V电源电压下,电路...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 利用负电容电路补偿技术,设计了一个工作于2.4 GHz频段的差分低噪声放大器.基于CHRT 0.25 μm RF CMOS工艺,对电路进行仿真.与传统的共源共栅结构相比,引入负电容电路对共源...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 针对汽车电压调节器,设计了一种受温度和电源电压变化影响很小的低频振荡器.通过采用正温度系数电流和负温度系数电流相互叠加,形成2阶补偿,以更加稳定的电流对电容进行充放电.在该振荡电路中,引入一...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 依据微带线的基本原理和电压调谐变容二极管的特性,结合微带交指滤波器的设计方法,提出一种基于交指结构的中心频率可调带通滤波器.设计了一种中心频率可调范围1.23～2.23 GHz、带内插损小于...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 设计了一种用于高精度A/D转换器的低功耗跨导运算放大器(OTA)电路.采用全差分两级运放结构、推挽式输出及开关电容共模反馈电路.设计基于SIMC 0.18 μm CMOS混合信号工艺,工作电...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 设计了一种针对基准电压输出非线性的分段温度补偿电压基准源.该电路在基准源工作的低温和高温阶段对输出进行温度补偿,实现低温度系数.利用高增益的两级运算放大器以及增加PMOS管的栅长来提高电路的...
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11. 一种L波段小型化高性能锁相频率源刊名： 微电子学发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 利用锁相环技术,实现了一种小型化高性能L波段频率源方案.设计得到的频率源输出频率为1.8～2.1 GHz,同时具备低功耗、低相噪、低杂散等特点,且其体积和重量分别仅为28mm×20 mm×6...
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12. 直接变频接收机直流失调消除技术刊名： 微电子学发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 基于传统的负反馈结构,提出一种改进的直流失调消除技术.分别采用密勒效应和线性区工作的MOS管,实现等效大电容和大电阻.采用此方法的失调消除技术易于实现片内集成.同时,使用补偿电路减小直流失调...
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13. VDMOS过温保护功能的实现刊名： 微电子学发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 提出一种内部集成过温保护功能的VDMOS器件.对传统过温保护原理进行了分析,在此基础上,提出了一种适用于功率器件过温保护的改进电路结构.仿真结果表明,该器件在温度超过174℃时实现自关断,在...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 以能量双向流动双有源桥(DAB)串联谐振变换器为研究对象,在考虑隔离变压器激磁电感和泄漏电感影响的基础上,建立双有源桥串联谐振变换器的准确等效模型,推导出其稳态工作特性.分析了DAB串联谐振...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 针对可配置LDPC译码器,提出了一种低复杂度的移位网络结构,明显降低了硬件实现的复杂度.基于结构化LDPC译码器的两个特点:输入端的个数是一个常数的倍数、所有移位都是循环移位,提出易于实现且...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 提出了一种适用于反激式AC-DC芯片的高效、可修调振荡器电路.相对于传统的振荡器,增加了一块模式控制电路,通过检测负载反馈端电压,可灵活选择两种不同的工作模式,产生不同频率,从而实现芯片在所...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 采用0.18 μm RF CMOS工艺,设计了一个5 GHz的宽带电感电容压控振荡器.该压控振荡器的电路结构选用互补交叉耦合型,采用噪声滤波技术降低相位噪声,并采用开关电容阵列扩展其调谐范围...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 分析了传统LDO提高系统稳定性及瞬态响应的局限性,提出了一种片内集成补偿技术.该技术无需外挂电容和等效串联电阻(ESR),即可使系统在全负载范围内保持稳定,并具有良好的纹波抑制能力.仿真结果...
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19. 带修调的高稳定LDO线性稳压器刊名： 微电子学发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 提出了一种新型高稳定LDO电路.该电路采用折叠型共源共栅运算放大器作为误差放大器,通过消除零点的密勒补偿技术提高环路稳定性；并在反馈电路中加入一种新的电压调整模块,以保证输入参考电压在一定范...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 利用Quartus Ⅱ和ModelSim软件,基于EP2C35芯片FPGA开发平台,通过Verilog-HDL语言,完成了O-QPSK调制解调器的设计.该设计具有结构简单、占用芯片面积少、便...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 设计了一款基于ISO 18000-6C协议且适用于海关集装箱运输监控的数字基带处理器.提出并分析了数字基带处理器的总体结构以及模块划分,详细介绍了锁离合采集、锁离合监测记录等关键电路的设计....
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 分析了准循环低密度奇偶校验码生成矩阵的结构特点,讨论了硬件可实现的三种常见编码器结构,提出了一种混合结构的FPGA实现方法.通过利用循环矩阵的结构特性,增加少量硬件开销,就可以实现编码器高速...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 建立了常关型SiC结型场效应晶体管(JFET)功率特性的数值模型,研究了不同的结构和材料参数对器件功率特性的影响.仿真结果显示,沟道层、漂移层等各层的厚度及掺杂浓度对器件的开态电阻和击穿电压...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 提出了一种采用电化学去除硅片表面有机物的新的清洗方法,用金刚石膜电极作为阳极,电化学氧化硫酸铵溶液生成稳定的强氧化溶液,电解液的氧化性通过间接碘量法测量.通过大量实验,优化初始电解液的浓度以...
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25. 应变PMOS二维阈值电压解析模型刊名： 微电子学发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 利用准二维方法求解二维泊松方程,建立了锗硅源漏单轴应变PMOS阈值电压的二维解析模型,理论计算结果和实验报道的结果能很好吻合.研究了不同沟道长度和漏压情况下的沟道表面势,分析了沟道长度、漏压...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 以往对SOI器件的建模基本上基于漂移区全耗尽的假设,且大多未考虑场板对表面势场分布的影响.通过分区求解二维泊松方程,建立了场板SOI RESURF LDMOS表面电势和表面电场分布解析模型....
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 多跳变(MT)故障模型是目前提出的具有完整故障覆盖率的一种总线测试故障模型,但其测试矢量集存在严重的矢量冗余.提出了一个基于路径遍历算法的测试矢量压缩方法,以MT模型为基础,经压缩简化后得到...
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28. 气密性金属封装内的水汽及气氛研究刊名： 微电子学发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 从封装管壳、贴片材料、固化烘烤处理方式等方面,研究了封装内部的水汽和气氛.结果表明,管壳清洗后烘焙的水汽含量低于清洗后不烘焙的水汽含量.粘结材料(环氧树脂、氰酸酯树 脂等)吸附于器件表面,...
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29. VCO电调特性的线性校正技术综述刊名： 微电子学发表期刊： 2012年3期页码:摘要： VCO电调特性的线性校正技术是决定线性调频连续波雷达系统性能的关键技术之一.给出了VCO电调线性度的基本定义.VCO电调特性的线性校正技术主要包括电抗补偿线性校正、开环线性校正和闭环线性校正...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 介绍了集成电路失效率抽样检查的基础理论,论述集成电路标准规范中最常用的LTPD方案,并对LTPD抽样方案中的抽样样本大小进行了计算.
微电子学基本信息
| 刊名 | 微电子学 | 主编 | 武俊齐 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 四川固体电路研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1004-3365 | CN | 50-1090/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | wdzx@sisc.com.cn |
| 电话 | 023-62834360 | 网址 | wdzx.sisc.com.cn |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号24所 |
微电子学评价信息
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| 3. | 文摘杂志(俄) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中文核心期刊 |
| 2. | 信息产业部优秀电子科技期刊 |
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