应变PMOS二维阈值电压解析模型

• 作者: 周东 苏丽娜 顾晓峰
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: PMOS 应变 锗硅源漏 阈值电压 二维解析模型
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 415-419
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3216字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2012.03.028

摘要

利用准二维方法求解二维泊松方程,建立了锗硅源漏单轴应变PMOS阈值电压的二维解析模型,理论计算结果和实验报道的结果能很好吻合.研究了不同沟道长度和漏压情况下的沟道表面势,分析了沟道长度、漏压及锗硅源漏中锗摩尔组分等参数对阈值电压的影响.利用TCAD工具进行仿真模拟,结果表明,沟道长度和漏压是单轴应变PMOS阈值电压漂移的主要影响因素,而锗摩尔组分在一定成分范围内影响较小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾晓峰	江南大学电子工程系	115	265	9.0	11.0
2	周东	江南大学电子工程系	8	8	2.0	2.0
3	苏丽娜	江南大学电子工程系	3	6	1.0	2.0