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微电子学2015年出版文献
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
微电子学
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本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊
信息产业部优秀电子科技期刊
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
3955
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年1期页码:摘要： 介绍了交流信号对亚微米CMOS集成电路可靠性的影响,重点分析了亚微米CMOS集成电路中交流应力下的热载流子效应、电迁移、栅氧化层介质击穿效应.通过与直流应力下器件可靠性的对比,分析交流信号与...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 通过分析CMOS缓冲器过冲及开关噪声的原理,提出了一种新型的低过冲、低开关噪声的缓冲器.该缓冲器采用两种驱动级并联,降低了开关噪声.部分输出级晶体管采用缓冲器结构,控制了输出过冲.该缓冲器简...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 介绍了一种面向新型FPGA结构一可重构算子阵列的功耗评估方法.分析了可重构算子阵列结构的功耗构成,同现有的功耗评估方法进行对比,提出基于最大功耗的评估策略.可重构算子和互连单元采用自动测试矢...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 介绍了一种利用FPGA芯片设计高速数字上变频器的方法.该方法采用一种新的多相插值滤波器结构,利用Xilinx FPGA中的硬核资源DSP48,极大地提高了系统的性能;采用一种并行结构的数字控...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 通过分析并优化逐次逼近模数转换器(SAR ADC)的工作时序,设计并实现了一种高速、低功耗、具有误差补偿的10位100 MS/s A/D转换器.该芯片采用TSMC 0.13 μm CMOS工...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 设计了一款适用于无线通讯系统的3.3V,10位50 MS/s流水线型模数转换器.减小面积和功耗是设计的核心.通过运放共享技术,减小了芯片功耗和面积;使用耗尽型MOS管改进的CMOS开关替代栅...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 采用Global Foundries 0.18 μm工艺,设计了一种适用于12位SAR ADC的低功耗数模转换器.分析了提高分辨率对传统DAC结构功耗、面积的影响.通过采用电容串联与set-...
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38. 一种低功耗高频小数频率综合器刊名： 微电子学发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 采用SMIC 180 nm CMOS工艺,设计了一款用于脉冲超宽带系统的锁相环型小数频率综合器.使用闪烁噪声抑制技术、感性峰化技术和动态反馈技术,分别对正交压控振荡器、预分频器以及电荷泵的性...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 随着电子技术的不断发展,集成电路的特征尺寸不断缩小,导致电路对宇宙高能粒子引发的单粒子翻转愈发敏感.提出了一种对单粒子翻转完全免疫的抗辐射加固锁存器.该锁存器利用具有过滤功能的C单元构建反馈...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 根据电荷泵锁相环系统的传递函数,详细推导了2阶无源环路滤波器的设计参数,准确定义了自然频率、阻尼因子等相关设计参数,给出了相位裕度与阻尼因子的关系表.运用Matlab和Spectre进行联合...
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41. 一种高精度CMOS库仑计的设计刊名： 微电子学发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 针对移动电子设备对锂电池库仑计的特殊要求,基于上华0.5μm工艺,设计了一种电源电压范围为2.9～4.3V的CMOS库仑计.在电阻串实现分压方面,采用了短接到地和直接选择相结合的方法,使得分...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 针对窄脉冲激光时域/频域特性,对窄脉冲激光电路设计进行了详细的分析,包括探测器光敏面面元尺寸分析,以及取样电阻、反馈电容对信号带宽和信号完整性的影响等.为了提高探测系统的信噪比、稳定性等要素...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 采用TSMC 0.13 μm CMOS工艺,设计并实现了一种低功耗、具有固定的环路带宽与工作频率之比,以及良好相位噪声性能的自偏置锁相环(PLL)芯片电路.仿真结果表明,该PLL电路工作频率...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺,提出了一种适用于无源UHF RFID标签芯片的CMOS整流器.与传统二极管连接方式的MOS管相比,使用了一种不同的二极管连接方式的MOS管,减小了...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 提出了一种全新的超高频RFID读写器采样判决器设计方案.为了适应RFID系统的实时性特点,该方案采用相关函数算法,自动跟踪信号频率,能够适应频率偏差±22％的信号环境,进而实现相关判决.采取...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 负偏压温度不稳定性(NBTI)效应已成为影响数字电路设计的重要可靠性问题之一.首先讨论了PMOS晶体管中NBTI效应对数字电路的影响,提出针对不同工艺PMOS管中NBTI效应建模的流程,设计...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 设计了一种用于AC-DC电源芯片的低温漂、高精度、可降频振荡器.该电路利用系统中的LDO模块产生的基准电压,在MOS和BJT两种不同类型的跟随器上产生两路正负温度系数的电流.对电流进行正负温...
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48. 百万门级系统芯片低功耗技术研究刊名： 微电子学发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 针对超大规模集成电路低功耗设计技术市场需求的迅速增大,提出了一种新的百万门级系统芯片低功耗设计流程,重点分析了芯片系统级、电路级、逻辑级与物理级四个不同的层次的低功耗设计方法,包括系统构架、...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 基于OKI 0.5μm BCD工艺,设计了一种带曲率补偿的低温漂带隙基准源.采用Brokaw带隙基准核心结构,引入一个高阶效应的电流,对基准进行补偿.结合基准核心电路产生的无温度系数电压,利...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 提出了一种带有阻抗衰减缓冲形式的LDO.在缓冲器的设计中,采用动态偏置并联反馈的结构来降低其输出阻抗,进而降低静态电流,提高系统的瞬态响应.通过电流缓冲补偿结构,在环路单位增益带宽内实现了单...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 时间数字转换器(Time-to-Digital Converter,TDC)是全数字锁相环(All-Digital Phase-Locked Loop,ADPLL)中的一个重要模块,其功耗也...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 设计了一款应用于GPON网络激光驱动器芯片的突发模式自动功率控制电路(BM-APC).该BM-APC采用数字控制器,实现了突发无效期间功率控制环的状态保持;利用快速启动算法,提高了ONU初始...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 介绍了一种片上FLASH存储器的设计与实现.通过对FLASH IP接口功能及时序的分析,实现了特定FLASH的控制逻辑;对FLASH增加了片外测试接口,便于片外测试.仿真结果表明,该设计可实...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 通过在当前静态时序分析(STA)中引入多输入跳变(MIT)参数库和布尔可满足方法,提出了一种考虑多输入跳变的静态时序分析伪关键路径识别算法.实验结果表明,与传统的静态时序分析算法相比,该算法...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 针对在40 Gb/s以太网规范中定义的循环冗余校验码(Cyclic Redundancy Code,CRC)计算关键路径过长的问题,提出了一种分块处理的方法来缩短每条关键路径的计算时间,从而...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 在多浮空场环理论的基础上,采用深阱多浮空场环技术,在200 μm的终端长度上实现了一种击穿电压为931 V的VDMOS终端保护环结构.此终端硅表面各环电场均匀,最大表面电场强度为2.42e5...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 研究了P埋层深度对体硅Triple-RESURF LDMOS纵向电场和击穿电压的影响.分析表明,当P型埋层靠近器件表面时,纵向电场平均值较小,击穿电压较低;当P型埋层靠近衬底时,优化漂移区浓...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 为了解决功率器件高击穿电压与减小表面最大电场需求之间的矛盾,提出了一种高压功率器件终端场板改进方法.通过调节金属场板和多晶硅场板的长度,使金属场板覆盖住多晶硅场板,最终使得两者的场强相互削弱...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 对典型双极晶体管的低剂量率辐射损伤增强效应进行了实验和数值模拟研究.选取了两种类型的双极晶体管,利用60 Co放射源开展了不同剂量率下的辐照实验,分析了双极晶体管基极电流等参数的变化规律;建...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2015年2期页码:摘要： 随着集成电路集成度的不断提高以及场效应晶体管尺寸的微缩,沟道载流子迁移率退化越来越严重,通过沟道应力技术提升载流子迁移率从而提高性能的技术被广泛应用.介绍了接触孔应力对沟道的影响,分析了接触...
微电子学基本信息
| 刊名 | 微电子学 | 主编 | 武俊齐 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 四川固体电路研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1004-3365 | CN | 50-1090/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | wdzx@sisc.com.cn |
| 电话 | 023-62834360 | 网址 | wdzx.sisc.com.cn |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号24所 |
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| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 文摘杂志(俄) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中文核心期刊 |
| 2. | 信息产业部优秀电子科技期刊 |
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