基于C单元反馈回路的容SEU锁存器设计

• 作者: 彭小飞 鲁迎春 黄正峰
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 单粒子翻转 锁存器 C单元 软错误
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 电路与系统设计
• 页码范围: 178-183
• 分类号: TN47
• 语种: 中文

摘要

随着电子技术的不断发展,集成电路的特征尺寸不断缩小,导致电路对宇宙高能粒子引发的单粒子翻转愈发敏感.提出了一种对单粒子翻转完全免疫的抗辐射加固锁存器.该锁存器利用具有过滤功能的C单元构建反馈回路,并在锁存器末端使用钟控C单元来阻塞传播至输出端的软错误.HSPICE仿真结果显示,在与TMR锁存器同等可靠性的情况下,该锁存器面积下降50％,延迟下降92％,功耗下降47％,功耗延迟积下降96％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄正峰	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	101	590	14.0	19.0
2	鲁迎春	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	24	94	6.0	8.0
3	彭小飞	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	3	10	2.0	3.0