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微纳电子技术期刊
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微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名： 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来，汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体，通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向，为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN：
1671-4776
CN：
13-1314/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄市179信箱46分箱
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  • 1. 基于SPM技术的表面纳米计量
    作者： 党学明 陈宇航 黄文浩
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  1-9,25
    摘要： 用扫描探针显微镜(SPM)技术观察三维表面形态,可以达到纳米级甚至原子量级的分辨率,所以SPM技术在计量方面有着广阔的应用前景.20年来,人们采用各种理论和方法来提高SPM的精度和稳定性,以...
  • 2. 光子晶体器件的研究进展及前景
    作者： 安卫军 张小玉 张磊 石建平 秦涛 陈旭南
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  10-14
    摘要： 光子晶体器件是近年来迅速发展起来的一类微纳器件,可以操控光子的运动行为,并具有损耗极低、体积小、易集成的优点.本文综合论述了光子晶体器件的几种主要设计方法的优缺点、指出了加工制作中的技术难点...
  • 3. Ⅲ族氮化物HFET中的电流崩塌和二维电子气
    作者： 薛舫时
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  15-19,29
    摘要： 讨论了Ⅲ族氮化物HFET中电流崩塌和沟道内二维电子气特性间的关联,提出了描述产生电流崩塌时电子动态运动的微观模型.栅延迟电流崩塌被归因于栅-漏电极间隙中表面态与其下沟道中的电子交换.异质结极...
  • 4. 碳纳米管应用研究进展
    作者： 孙晓刚
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  20-25
    摘要： 简要介绍了碳纳米管的基本性能和主要生产方法,综述了碳纳米管应用研究在各领域的进展,展望了碳纳米管的应用前景.
  • 5. 激发波长和电化学腐蚀对注碳外延硅荧光特性的影响
    作者： 李忠 李玉国 王强 石礼伟 郭兴龙
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  26-29
    摘要： 电化学腐蚀是蓝光发射的前提,但不同的电化学腐蚀条件对发光强度和峰位影响极大,随着电化学腐蚀条件的加强,蓝光峰将被红光峰代替.激发光波长亦可影响蓝光发射,如260 nm的激发光将引起在360 ...
  • 6. 纳米机械和微机械中杆的熔化性质
    作者： 吴学忠 李圣怡 罗兵 黄建平
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  30-33,45
    摘要： 根据纳米机械和微机械中杆的晶格振动量子化的结论,推导了杆的原子均方位移公式,并用Lindeman熔化判据,分析了纳米机械和微机械中杆的熔化性质.结果表明,微机械和纳米机械中的杆比宏观机械中的...
  • 7. CMOS技术在生物传感器中的应用
    作者： 杨振 颜永红 齐良颉
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  34-37
    摘要： 介绍了应用传统CMOS工艺实现ISFET的设计方法,比较了四种不同结构ISFET的传输特性,提出了应用同一CMOS工艺实现衔接电路的差分结构形式,并通过实验验证了此电路设计的合理性.传感单元...
  • 8. MEMS封装V形腔阵列的研究与制备
    作者： 何少伟 徐智谋 易新建 李雄
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  38-39
    摘要： MEMS器件封装时,为了给具有活动装置的MEMS器件提供足够的空间,需要在封装的帽层上刻蚀出V形腔结构.本文利用V形槽工艺,制作出适合于硅片上大面积MEMS芯片封装用V形腔阵列.SEM照片表...
  • 9. 自发光蛋白芯片检测仪的设计
    作者： 唐小萍 岑辉 胡松 赵立新 陈兴俊
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  40-42
    摘要： 简要介绍了生物芯片的发展概况,生物芯片的基本概念和类型以及生物芯片的检测装置,详细介绍了一种新开发的生物芯片检测仪,主要论述了它的工作原理、光学系统、机械系统和软件系统的结构和功能以及整个仪...
  • 10. 基于MEMS技术的加速度测量组合装置
    作者： 乔大勇 苑伟政 虞益挺
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  43-45
    摘要： 在研究基于MEMS技术的叉指式硅微型加速度计工作原理的基础上,制订了加速度二维测量组合装置的系统方案,设计了系统电路,研制和开发系统装置,讨论了系统抗干扰问题.最后,通过单片机及VB串口通信...
  • 11. 温维佳等研制出新型"巨电流变液";王中林等人研制出微米管状晶体;中科院纳米级芯片研究取得新成果;美采用简单方法制成纳米管
    作者：
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2004年1期
    页码:  46-47
    摘要：
  • 12. Si基纳米结构的电子性质
    作者： ZHAO Xin-wei 彭英才 王英龙 马蕾
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  1-8
    摘要： 各种Si基纳米发光材料在Si基光电子器件及其全Si光电子集成技术中具有潜在的应用前景,从理论和实验上对其电子结构进行研究,有助于我们深化对其发光机制的认识与理解.本文主要从量子限制效应发光这...
  • 13. RTD/HEMT多值逻辑(MVL)电路的PSPICE模拟
    作者： 刘宏伟 牛萍娟 苗长云 郭维廉
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  9-13
    摘要： 由共振隧穿二极管(RTD)与高电子迁移率晶体管(HEMT)相并联组成的结构是构成当前RTD高速数字电路常用的基本单元.由于RTD的负阻、双稳和自锁特性,由RTD/HEMT组成的逻辑电路可以大...
  • 14. 有机/聚合物电致发光器件的稳定性问题
    作者： 李宏建 李玉珍 赵光强
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  14-16，31
    摘要： 有机/聚合物电致发光(EL)器件走向实用化的最大障碍是其稳定性和寿命.文章综述了有机/聚合物EL器件的稳定性问题,并从器件的失效过程、电极材料及其界面对器件稳定性的影响及有机材料本身的稳定性...
  • 15. UHV/CVD自对准生长Ge量子点
    作者： 罗广礼 邓宁 钱佩信 陈培毅 黄文韬
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  17-22
    摘要： 在超高真空化学汽相淀积设备(UHV/CVD)上生长了小尺寸、大密度、垂直自对准的Ge量子点.采用原子力显微镜分析量子点的尺寸,可优化其生长温度和时间,在550℃,15s的条件下生长出尺寸最小...
  • 16. 制备纳米发光氧化锌的新方法
    作者： 张华 李怀祥 王瑞华 赵婧
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  23-25，37
    摘要： 采用一种全新的高电压电解方法,制得了室温条件下具有可见光致荧光的ZnO颗粒.这一制备技术具有取材容易、设备简单、条件温和、对环境友好、具有绿色合成的特点.探讨了电解制备ZnO的最佳实验条件....
  • 17. MEMS封装技术研究进展
    作者： 张文献 李金 郑小林 陈默
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  26-31
    摘要： 介绍了MEMS封装技术的特点、材料以及新技术,包括单片全集成MEMS封装、多芯片组件(MCM)封装、倒装芯片封装、准密封封装和模块式MEMS封装等.文中还介绍了MEMS产品封装实例.
  • 18. MEMS光开关的研究与进展
    作者： 李宏生 赵波
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  32-37
    摘要： 光开关是光通信网络的重要功能器件,MEMS光开关是最具发展前景的光开关之一.在简介不同种类光开关原理特点的基础上,详细分析了当前主要的MEMS光开关的分类、结构、工艺与性能特点,并给出这一领...
  • 19. Si/Si键合界面的超声显微成像
    作者：
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  38-40,45
    摘要： 硅/硅键合片在MEMS器件的生产中得到了应用.如果硅片的表面被微观粒子或被污染液体中的残余物所沾污,硅/硅键合界面就会产生空洞.如果这些空洞没有被及时发现,将给后道工序带来严重的问题,并降低...
  • 20. 光刻中驻波效应的影响分析
    作者： 刘世杰 刘建莉 唐雄贵 彭钦军 杜惊雷 肖啸 郭永康
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  41-45
    摘要： 驻波效应是抗蚀剂在曝光过程中的寄生现象.一般认为,驻波效应对薄胶的光刻图形有较大的影响,而对厚胶的光刻图形影响不大.根据DILL曝光模型进行了模拟计算,分析了在曝光过程中抗蚀剂折射率的改变对...
  • 21. 浙江纳米光波导研究获原创性成果;上海研制成功纳米步进马达;俄开发出优质纳米管生产装置;TI推出首款90nm技术应用处理器
    作者：
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  46-47
    摘要：
  • 22. AMD公布45nm处理器计划;IBM采用纳米技术制造更小的存储设备;东芝扩大70nm和300mm半导体硅圆片生产线;日本开发出纳米级晶体管;碳纳米管中的激光
    作者：
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  47
    摘要：
  • 23. 自旋电子学和自旋电子器件
    作者： 邓宁 陈培毅
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  1-5,20
    摘要： 自旋电子学是近年来发展起来的微电子学和磁学的交叉学科,主要研究自旋极化电流的注入、控制和检测.本文介绍了自旋电子学和器件的研究进展,着重讨论了自旋注入和检测的问题,分析了自旋电子器件研究的核...
  • 24. 纳米电子学
    作者： 郭树田
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  6-13,24
    摘要： 纳米电子学是纳米技术的重要科学基础,纳米电子学将成为21世纪信息时代的科学核心,将使未来社会产生重大变革.本文介绍了纳米电子学的基本概念、纳米电子学的产生、纳米电子学的研究内容、纳米器件的基...
  • 25. 铜互连及其相关工艺
    作者： 翁寿松
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  14-16,36
    摘要： 介绍了铜互连、金属间低K绝缘层和CMP工艺.ITRS2001/1999对铜互连、金属间低K绝缘层和CMP工艺提出了具体的要求和进程.ITRS2001比ITRS1999整整提前了一年.铜互连和...
  • 26. 热壁化学汽相沉积Si基GaN奇异面
    作者： 孙振翠 曹文田 王书运 薛成山 魏芹芹
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  17-20
    摘要： 利用热壁化学汽相沉积在Si基上生长GaN薄膜.用扫描电镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)、X射线衍射(XRD)、傅里叶红外透射谱(FTIR)和荧光光谱(PL)对样品进行形貌、结构、组分...
  • 27. (Y2O3·CaO)-ZrO2超细粉的制备及条件对粒径的影响
    作者： 宋秀芹 陈汝芬
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  21-24
    摘要： 用化学沉淀法合成Y2O3和CaO共掺杂的ZrO2均匀超细粉并讨论了反应条件对样品粒度的影响.通过TG-DTA,XRD,TEM和粒度分布仪等检测手段对产品进行了表征,结果表明,Y2O3含量为2...
  • 28. MEMS器件中的铁电材料
    作者： 于军 付承菊 王耘波 郭冬云
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  25-28
    摘要： 铁电材料在微电子技术、光电子技术和集成光学等多个领域中具有极为重要的应用价值.本文简要介绍了铁电材料及其在MEMS器件方面的应用情况.
  • 29. 双层弯曲热执行器的有限元分析
    作者： 姜岩峰 张晓波
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  29-31,43
    摘要： 研究了一种由多晶硅电阻、硅和金属层构成的双层弯曲热执行器.利用有限元方法计算了该执行器的纵向偏转和温度分布.为了提高精度,本文提出了一种三层结构的有限元模型,当用厚度为1 μm的硅和0.5μ...
  • 30. 一种高分辨率电容微加速度计的设计研究
    作者： 张少峰 陈花玲
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  32-36
    摘要： 分析了影响加速度计分辨率的因素,在此基础上,通过采用深度反应离子刻蚀工艺获得大的敏感质量和小的电极间隙、采用电容变化量比枝齿梳状敏感结构大一倍的直齿梳状敏感结构和利用静电负刚度来降低结构的刚...

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

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