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微纳电子技术2010年出版文献
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
22
总被引数（次）
16974
微纳电子技术
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《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。
创刊4年以来，汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体，通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向，为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
俄罗斯《AJ》收录
美国《剑桥科学文摘》收录
英国《SA》,INSPEC数据库收录
ISSN：
1671-4776
CN：
13-1314/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
3266
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16974
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年5期页码:摘要： 复杂纳米结构至今依然是材料领域研究的前沿.采用简单的气相合成法,通过反应温度选择和初始反应物配方设计,实现了复杂形貌CdSe/SiO2异质纳米结构的可控制备,在直径为100 nm左右的一维纳...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年5期页码:摘要： 三聚氰胺甲醛树脂综合性能优异,近年来在微胶囊壁材领域得到了广泛应用.综述了以三聚氰胺甲醛树脂为壁材的微胶囊材料的研究现状.重点阐述了微纳米级相变储能材料、阻燃材料、有机颜料、自修复材料被三聚...
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63. 纳米结构材料在太阳电池中的应用刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年5期页码:摘要： 各种纳米结构材料具有许多优异的光伏性质.例如量子阱具有良好的带隙可调谐能力,纳米薄膜具有较好的光吸收特性,量子点具有多激子产生能力,纳米线具有低反射特性等.重点评述了采用量子阱、纳米薄膜、各...
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64. 薄膜和量子点的外延生长刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 首先简短地综述了人们关于外延薄膜材料层状(layer-by-layer)生长机制的认识;给出了作者关于自组装量子点外延生长过程的评价和观点,强调了量子点自组装生长过程的复杂性和非线性性质.在...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 讨论了采用Ⅲ-V族化合物材料制备多结太阳电池时的材料选择和实现方案,重点探讨了采用渐变缓冲层、引入InGaAsN等新材料以及直接键合等三种方法.其中,采用渐变缓冲层结构的Ge/Ga0.35I...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 介绍了一种基于GaAs HFET结构的S波段内匹配器件的设计方法.由于大栅宽器件模型难以准确确定,提取了具有相似结构的小栅宽器件模型.在ADS设计环境中,利用Load-Pull算法推算出大栅...
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67. 阳极氧化法制备氧化铝纳米线刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 将A1片在较高的电压下进行阳极氧化,制备了氧化铝纳米线.其形成机制主要是多孔氧化铝膜生长的同时,其微结构单元阵列在薄膜应力作用下沿薄壁处破裂,从而生成了氧化铝纳米线.扫描电镜和透射电镜观测表...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 以Bi2O3,Fe2O3,MnO2和SrCO3为主要原料,采用传统固相法制备出具有负温度系数(NTC)特性的SrBiFeMnO陶瓷.研究了该陶瓷的物相结构、断面形貌及电性能.结果表明:试样的...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 设计了谐振式微悬臂梁传感器闭环接口和嵌入式频率读出电路.首先,谐振式微悬臂梁传感器和接口电路组成闭环自激振荡系统.为了提高该闭环系统的频率稳定性和频率跟踪性能,引入具有无相差频率跟踪的锁相环...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 介绍了两种适于毫米波应用的RF MEMS实时延时线的设计.首先,在设计中采用了一种新颖的RF MEMS拓宽调节范围的变容器结构,得到了最大变容比为5.39的在片测试结果.其工艺设计基于表面微...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 提出了一种新型电磁驱动推拉式射频MEMS开关.针对传统静电驱动单臂梁开关所需驱动电压大、恢复力不足等问题,设计了一种推拉式开关结构,降低了驱动电压(电流),提高了开关的隔离度,同时实现了单刀...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 随着各种混合信号电路的性能和集成度的迅速提高以及对电路模块和元器件小型化的需要,集成无源技术成为一种取代分立无源器件以达到小型化的解决方案.鉴于电容器被广泛用于滤波、调谐和电源回路退耦等各种...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 介绍了在GaAs器件制作中,如何提高光刻细线条加工能力、制作深亚微米"T"型栅的工艺技术.该技术采用投影光刻和负性化学放大光刻胶,制作出0.18/μm的"T"型栅GaAs PHEMT器件,栅...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 针对A1N基片CMP平坦性问题,从pH值、磨料粒度以及磨料的质量分数等方面研究了抛光液参数对抛光效果的影响.通过对A1N基片进行抛光实验,确定pH为10.5～11.5时,采用大粒径、高质量分...
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75. 国际观点刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要：
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76. 单片集成锁模量子点激光器刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年7期页码:摘要： 首先简要回顾了超短脉冲激光器(LD)的发展史,以及以半导体量子点为有源区的锁模量子点LD的提出及其潜在的、重要应用前景.随后介绍了锁模量子点LD的工作原理、各种锁模方式及其器件结构,进而讨论...
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77. 高性能SiC整流二极管研究刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年7期页码:摘要： 在n型4H-SiC单晶导电衬底上制备了具有MPS(merged p-i-n Schottky diode)结构和JTE(junction termination extension)结构的肖...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年7期页码:摘要： 采用金属有机化合物气相淀积方法生长了900 nm的三叠层隧道级联激光器.针对隧道级联激光器存在工作电压高、材料各层的光场耦合等问题,分别采用δ掺杂、扩展波导等技术对激光器结构进行了优化,并通...
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79. 纳米线在新型太阳电池中的应用研究刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年7期页码:摘要： 介绍了纳米线的研究发展历史、纳米线应用在新型太阳电池上的特点和优势、Si基纳米线结构应用在太阳电池方向的制备方法的研究进展、纳米线作为新型一维平面结构所具有的电学特性和特殊的光学减反特性.重...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年7期页码:摘要： 采用双离子束辅助沉积技术制备了原位Si掺杂的c-BN薄膜.系统研究了辅源轰击束流大小、辅源气体组分比以及衬底温度对制备薄膜的影响.结果表明,在掺入Si杂质后,要保持高立方相含量,必须增强辅源...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年7期页码:摘要： 主要介绍了近年来国内外出现的有市场推广潜力的立方相碳化硅(3C-SiC) MEMS器件,详细描述了其中一些典型器件的基本结构、加工工艺及初步测试结果,并指出了要想提高器件的可靠性,需要获得低...
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82. 硅MEMS器件加工技术及展望刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年7期页码:摘要： 介绍了几种典型的硅基MEMS加工技术以及应用,并简单展望了MEMS加工技术发展趋势.硅基MEMS加工技术主要包括体硅MEMS加工技术和表面MEMS加工技术.体硅MEMS加工技术的主要特点是对...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年7期页码:摘要： 气体压力施压是实现纳米压印技术中将模板压入转移介质的重要技术路径,在克服应力不均匀、保护基片和模板等方面优势明显.报道了一种旨在提高压卬压力均匀性、低压力施压的真空负压紫外固化纳米压印系统的...
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84. 体硅热膜传感器单片集成工艺的研究刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年7期页码:摘要： 针对MEMS热膜式传感器的发展趋势和在实用化过程中存在的问题,提出了一种新型的单片电路和体硅MEMS热膜式传感器实现集成制造的嵌入式CMOS工艺技术,解决了MEMS制造工艺和CMOS集成电路...
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85. 3D封装及其最新研究进展刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年7期页码:摘要： 介绍了3D封装的主要形式和分类.将实现3D互连的方法分为引线键合、倒装芯片、硅通孔、薄膜导线等,并对它们的优缺点进行了分析.围绕凸点技术、金属化、芯片减薄及清洁、散热及电路性能、嵌入式工艺、...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年7期页码:摘要： 基于0.18 μm CMOS标准工艺,设计了一种工作电压为1.8 V、带宽达到910 MHz的高速、宽带、高稳定性的集成运算放大器芯片.阐述了该放大器电路构成原理、弥勒补偿电容和调零电阻补偿...
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87. Ku波段GaAs单片功率放大器刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年7期页码:摘要： 基于GaAs PHEMT在微波领域的卓越性能,设计并实现了两款Ku波段GaAs单片功率放大器.简述了GaAs PHEMT器件的工作原理,并抽取了精准的EEHEMT模型,通过独特的设计方法并结...
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88. 信息动态刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年7期页码:摘要：
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年8期页码:摘要： 在回顾了多值逻辑(MVL)电路的优点、分析了共振隧穿器件(RTD)电路的特点和比较了各种类型负阻器件性能的基础上,提出了利用CMOS型负阻单元作为基础性器件设计并实现CMOS型逻辑电路的新概...
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90. 有机半导体器件的现状及发展趋势刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2010年8期页码:摘要： 从上世纪末和本世纪初开始,有机半导体材料研究引起了业界的广泛重视,使有机半导体器件的实验室制作水平得到大幅提高,并逐步进入当前的商品发展阶段.概述了有机半导体的发展历程、各种器件结构与特性及...
微纳电子技术基本信息
| 刊名 | 微纳电子技术 | 主编 | 李和委 |
| 曾用名 | 半导体情报(1964-2001) | ||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1671-4776 | CN | 13-1314/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | wndz@vip.sina.com |
| 电话 | 0311-87091487 | 网址 | www.wndz.org |
| 地址 | 石家庄市179信箱46分箱 |
微纳电子技术评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 文摘杂志(俄) |
| 2. | 科学文摘(英) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 俄罗斯《AJ》收录 |
| 2. | 美国《剑桥科学文摘》收录 |
| 3. | 英国《SA》,INSPEC数据库收录 |
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