用于MFIS的铁电薄膜刻蚀技术研究

• 作者: 姚海平 姜国宝 汤庭鳌 汤祥云 程旭 钟琪 颜雷 黄维宁
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 铁电存储器 反应离子刻蚀 铁电薄膜 金属/铁电/介质/半导体器件
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 8-10
• 页数: 3页
• 分类号: TN405.98+3
• 字数: 2171字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2000.01.003

摘要

制备MFIS存储器的铁电薄膜一般选用抗疲劳特性好的SBT铁电薄膜,介质层一般选用ZrO2作为阻挡层,以克服电荷注入效应,改进器件的性能.在MFIS的研制中,SBT薄膜和ZrO2薄膜的刻蚀是关键工艺之一.研究了用SF6和Ar作为反应气体刻蚀SBT及ZrO2薄膜的方法,对不同条件下SBT和ZrO2的刻蚀速率进行了实验研究和讨论、分析,得到了刻蚀SBT及ZrO2的优化工艺条件.