铁电存储器技术

• 作者: 徐子亮 黄寅
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 铁电存储器(FRAM) 非易失性存储器(NVM) 技术
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.9|TP333
• 字数: 3295字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2000.03.001

摘要

详细论述了铁电存储器(FRAM)的工作原理、发展过程、技术特性、理论和技术及实际生产中的限制,分析了FRAM的优势及弱点,认为1G位的FRAM可望在五年内实现.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐子亮	上海交通大学微电子技术研究所	5	45	3.0	5.0
2	黄寅	上海交通大学微电子技术研究所	2	19	1.0	2.0