半导体技术中数学模型的渐近分析

• 作者: 许立炜
• 来源期刊: 应用数学
• 学科: 哲学
• 关键词: 半导体方程 奇异摄动问题 渐近性态 退化问题
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 98-102
• 页数: 5页
• 分类号: O175.4|AMS(1991)主题分类:34E15
• 字数: 2858字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9847.2001.01.020

摘要

本文在非平衡状态下,研究了具有Dirichlet边界条件的稳态半导体模型的解的渐近性态.首先,对N维半导体模型,结合解在L∞和H1空间一致有界性,论证了奇异摄动问题的解的极限满足相应的退化问题且在H1中弱收敛.然后,对一维半导体模型,进一步证明了解在H1中强收敛.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许立炜	南京邮电学院应用数理系	8	17	2.0	4.0