阴极弧等离子体沉积NbN薄膜

• 作者: 侯君达 宋教花 张涛 李永良 邓志威
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体沉积 NbN 动态离子束增强沉积(DIBAD)
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 学位论文
• 页码范围: 28-31
• 页数: 4页
• 分类号: TL503.3
• 字数: 3486字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0322.2001.01.006

摘要

利用磁过滤等离子体沉积装置，结合金属等离子体沉积技术，在Si基底上分别用动态离子束增强沉积和非增强沉积的方法来制备NbN膜，对二者予以比较，并探讨了非增强沉积过程中基底温度对NbN膜层的影响。温度升高使膜层中N的含量先呈上升趋势，随后又稍微降低；温度升高促进晶粒生长，使晶粒尺寸变大，从室温到约300℃的温度下得到的薄膜在(220)峰表现出很强的择优取向，500℃的沉积温度下，(220)峰变的很弱，(200)峰表现出择优取向，500℃时膜层中得到单一的δ-NbN相；表面形貌方面，温度越低，薄膜越不完整，在500℃左右才能得到光滑完整的NbN膜。与非增强沉积相比，增强沉积不需加热，在低温下就能得到光滑致密的NbN膜，膜层中N的含量更高，且没有明显的择优取向。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张涛	北京师范大学低能核物理研究所	129	353	9.0	13.0
2	邓志威	北京师范大学分析测试中心	76	1668	19.0	40.0
3	李永良	北京师范大学分析测试中心	58	807	15.0	26.0
4	宋教花	北京师范大学低能核物理研究所	5	25	3.0	5.0
5	侯君达	北京师范大学低能核物理研究所	7	50	4.0	7.0