金属Ni诱导横向晶化的结构及工艺进程的优化

• 作者: 卓铭 徐秋霞
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属镍 金属诱导横向晶化(MILC) 晶粒间界 籽晶区 NiSi2
• 年，卷（期）: 2002,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1217-1223
• 页数: 7页
• 分类号: TN304
• 字数: 517字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.11.018

摘要

研究了用Ni进行金属诱导横向晶化(MILC)制备大尺寸多晶硅晶粒的结构改进和工艺条件优化,改进了MILC的结构,通过在埋层氧化层上开出与衬底相连的籽晶区,减少了大晶粒多晶硅中的缺陷分布;同时在前人的基础上优化了退火温度及时间,用Secco腐蚀液观察了晶粒大小和间界分布,最后得到了质量更好的大晶粒多晶硅,其大小在70～80μm左右.同时讨论了MILC后生成的NiSi2的去除方法,成功地去除了高温退火后生成的NiSi2,大大减小了Ni在多晶硅层中的分布,保证了将MILC方法成功应用于实现深亚微米器件的研究中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐秋霞	中国科学院微电子中心	37	108	6.0	8.0
2	卓铭	中国科学院微电子中心	3	12	1.0	3.0